GB/T 20870.4-2024 半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关

ICS3108001

CCSL.56.

中华人民共和国国家标准

GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017

.:

半导体器件

第16-4部分微波集成电路开关

:

Semiconductordevices—

Part16-4Microwaveinteratedcircuits—Switches

:g

IEC60747-16-42017IDT

(:,)

2024-10-26发布2024-10-26实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………2

基本额定值和特性

4………………………3

电路识别与类型

4.1……………………3

应用说明

4.2……………4

功能规定

4.3……………4

极限值绝对最大额定值体系

4.4()……………………6

工作条件在规定工作温度范围内

4.5()………………7

电特性

4.6………………7

机械与环境额定值特性和数据

4.7、……………………8

附加资料

4.8……………8

测试方法

5…………………9

概述

5.1…………………9

插入损耗L

5.2(ins)………………………9

隔离度L

5.3(iso)………………………11

回波损耗L

5.4(ret)……………………12

压缩点对应的输入功率P和压缩点对应的输出功率P

5.51dB(i(1dB))1dB(O(1dB))……………14

导通时间t关断时间t上升时间t下降时间t

5.6(on)、(off)、(r(out))、(f(out))……………15

邻近信道功率比PP

5.7(adj/O(mod))……………………17

第n阶谐波失真比PnP

5.8(th/1)……………………20

Ⅰ

GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件的第部分已经发布了以下部分

GB/T20870《》4。GB/T20870:

第部分微波集成电路放大器

———16-1:;

第部分微波集成电路预分频器

———16-2:;

第部分微波集成电路开关

———16-4:;

第部分微波集成电路振荡器

———16-5:;

第部分单片微波集成电路技术可接收程序

———16-10:。

本文件等同采用半导体器件第部分微波集成电路开关

IEC60747-16-4:2017《16-4:》。

为便于使用本文件做了下列最小限度的编辑性改动

,:

修正文件中图的编号并添加了图的引导语

———,。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第五十五研究所南京国博电子股份有限公司

:、。

本文件主要起草人陈哲答瑞琦蔡传涛向虎施小翔吴维丽

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017

.:

引言

微波集成电路是电子行业产业链中的通用基础产品为电子系统中的最基本单元

,。GB/T20870

半导体器件微波集成电路是对微波集成电路参数和测试方法确立的依据拟由个部分构成

《》。10。

第部分微波集成电路放大器目的在于规定微波集成电路放大器的术语基本额定

———16-1:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路预分频器目的在于规定微波集成电路预分频器的术语字母

———16-2:。、

符号基本额定值特性以及测试方法

、、。

第部分微波集成电路变频器目的在于规定微波集成电路变频器的术语基本额定

———16-3:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路开关目的在于规定微波集成电路开关的术语基本额定值特

———16-4:。、、

性以及测试方法

。

第部分微波集成电路振荡器目的在于规定微波集成电路振荡器的术语基本额定

———16-5:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路倍频器目的在于规定微波集成电路倍频器的术语基本额定

———16-6:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路衰减器目的在于规定微波集成电路衰减器的术语基本额定

———16-7:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路限幅器目的在于规定微波集成电路限幅器的术语基本额定

———16-8:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分微波集成电路移相器目的在于规定微波集成电路移相器的术语基本额定

———16-9:。、

值特性以及测试方法

、。

第部分单片微波集成电路技术可接收程序目的在于规定单片微波集成电路的设计

———16-10:。、

制造和交付的术语定义符号质量体系测试评价验证方法以及其他要求

、、、、、、。

该系列标准等同采用系列标准保证半导体器件试验方法与国际标准一致通过制

IEC60747-16,,

定该标准可以确定统一的测试参数测试方法和测试程序对微波集成电路研制生产和检验和使用具

,、,、

有重要意义

。

Ⅳ

GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017

.:

半导体器件

第16-4部分微波集成电路开关

:

1范围

本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义规定了额定值和特性描述了测试方法

,,。

开关的射频端口有多种组合如单刀单掷单刀双掷单刀三掷双刀双掷

,(SPST)、(SPDT)、(SP3T)、

等本文件基于型开关其他类型的开关也适用

(DPDT)。SPDT,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件分立器件和集成电路第部分总则

IEC60747-11:(Semiconductordevices—Dis-

cretedevices—Part1:General)

IEC60747-1:2006/AMD1:2010

半导体器件分立器件第部分微波器件

IEC60747-44:(Semiconductordevices—Discretede-

vices—Part4:Microwavediodesandtransistors)

注半导体器件分立器件第部分微波器件

:GB/T20516—20064:(IEC60747-4:2001,IDT)

半导体器件第部分微波集成电路放大器

IEC60747-16-116-1:(Semiconductordevices—

Part16-1:Microwaveintegratedcircuits—Amplifiers)

IEC60747-16-1:2001/AMD1:2007

IEC60747-16-1:2001/AMD2:2017

注半导体器件第部分微波集成电路放大器

:GB/T20870.1—200716-1:(IEC60747-16-1:2001,IDT)

半导体器件集成电路第部分数字集成电路

IEC60748-22:(Semiconductordevices—Inte-

gratedcircuits—Part2:Digitalintegratedcircuits)

注半导体器件集成电路第部分数字集成电路

:GB/T17574—19982:(idtIEC748-2:1985)

半导体器件集成电路第部分模拟集成电路

IEC60748-33:(Semiconductordevices—Inte-

gratedcircuits—Part3:Analogueintegratedcircuits)

注半导体器件集成电路第部分模拟集成电路

:GB/T17940—20003:(idtIEC748-3:1986)

半导体器件集成电路第部分接口集成电路

IEC60748-44:(Semiconductordevices—Inte-

gratedcircuits—Part4:Interfaceintegratedcircuits)

注半导体器件集成电路第部分接口集成电路

:GB/T18500—20014:(IEC60748-4:1993,IDT)

静电学第部分保护电子设备不受静电现象干扰通用要求

IEC61340-5-1:20165-1:(Electro-

statics—Part5-1:Protectionofelectronicdevicesfromelectrostaticphenomena—Generalrequire-

ments)

注静电学第部分电子器件的静电防护通用要求

:GB/T37977.51—20235-1:(IEC61340-5-1:2016,IDT)

静电学第部分保护电子设备不受静电现象干扰用户指南

IECTR61340-5-2:20185-2:

(Electrostatics—Part5-1:Protectionofelectronicdevicesfromelectrostaticphenomena—Userguide)

1

GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017

.:

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

插入损耗insertionloss

Lins

在功率传输曲线PfP的线性区输入功率与导通端口输出功率之比

O(dBm)=(i),。

注1在上述线性区域PP

:,ΔO(dBm)=Δi(dBm)。

注2插入损耗通常以分贝表示

:。

32

.

隔离度isolation

Liso

在功率传输曲线PfP的线性区输入功率与关断端口输出功率之比

O(dBm)=(i),。

注1在上述线性区域PP

:,ΔO(dBm)=Δi(dBm)。

注2隔离度通常以分贝表示

:。

33

.

回波损耗returnloss

Lret

在功率传输曲线PfP的线性区指定端口反射功率P与同一端口入射功率

ref(dBm)=(inc),(ref)

P之比

(inc)。

注1在上述线性区域PP

:,Δref(dBm)=Δinc(dBm)。

注2回波损耗通常以分贝表示

:。

34

.

1dB压缩点对应的输入功率inputpowerat1dBcompression

Pi1dB

()

插入损耗相比其在线性区域时增加时的输入功率点

,1dB。

35

.

1dB压缩点对应的输出功率outputpowerat1dBcompression

PO1dB

()

插入损耗相比其在线性区域时增加时的输出功率点

,1dB。

36

.

导通时间turnontime

ton

在功率传输曲线PfP的线性区控制电压前沿的下参考点与输出电压包络前沿的上

O(dBm)=(i),

参考点的间隔时间

。

注在上述线性区域PP

:,ΔO(dBm)=Δi(dBm)。

37

.

关断时间turnofftime

toff

在功率传输曲线PfP的线性区控制电压后沿的上参考点与输出电压包络后沿的下

O(dBm)=(i),

参考点的间隔时间

。

注在上述线性区域PP

:,ΔO(dBm)=Δi(dBm)。

2

GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017

.:

38

.

上升时间risetime

rout

t()

在功率传输曲线PfP的线性区输出电压前沿的下参考点与输出电压包络前沿的上

O(dBm)=(i),

参考点的间隔时间

。

注在上述线性区域PP

:,ΔO(dBm)=Δi(dBm)。

39

.

下降时间falltime

fout

t()

在功率传输曲线PfP的线性区输出电压后沿的上参考点与输出电压包络后沿的下

O(dBm)=(i),

参考点的间隔时间

。

注在上述线性区域PP

:,ΔO(dBm)=Δi(dBm)。

310

.

邻近信道功率比adjacentchannelpowerratio

adj/Omod

PP()

当提供一个调制信号时远离特定载波信号频率的特定频带下的总输出功率与特定载波信号频带

,

下的总功率之比

。

311

.

第n阶谐波失真比nthorderharmonicdistortionratio

Pnth/P1

器件输出端第n阶谐波分量功率与基频功率之比

,。

来源

[:IEC60747-16-1:2001/AMD2:2017,3.14]

4基本额定值和特性

41电路识别与类型

.

411名称和类型

..

宜提供微波集成电路开关的型号器件名称电路类别和所使用的的技术

()、。

412简要功能描述

..

宜简要描述微波集成电路开关的功能

。

413制造技术

..

宜提供制造技术如半导体单片集成电路薄膜集成电路微组装等

,、、。

制造技术的说明宜包括半导体工艺的细节如肖特基势垒二极管二极管金属半

,、PIN、MESFET(

导体场效应管硅双极晶体管等

)、。

相关术语和符号基本额定值和特性及此类微波器件的测试方法宜按

、IEC60747-4。

414封装识别

..

宜包含的说明如下

:

芯片或封装形式

a);

和或其他标准标号的外形图或非标准封装包含端口号

b)IEC()();

3

GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017

.:

主要封装材料如金属陶瓷和塑料

c),、。

415主要应用

..

必要时宜说明其主要用途如果器件有限制性宜在这里说明

。