适用范围：本文件规定了模拟/混合信号知识产权（IP）核质量的评测内容，包括IP核的文档质量、IP核的电路设计质量、物理设计质量、模型质量、IP核功能验证质量和IP核流片验证质量等。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者、使用者和第三方评测模拟/混合信号IP核的质量，包括完备性和可复用性，并不涵盖具体功能和性能的评测。

适用范围：本文件界定了基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的术语和定义。 本文件适用于基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的制造和测试。

适用范围：本文件规定了模拟/混合信号知识产权(IP)核交付项及推荐格式或语言的要求。本文件适用于模拟/混合信号IP核的测试、交换与集成。

适用范围：本文件规定了在芯片键合过程中使用多个叠层集成电路之间初始校准和校准保持的要求。定义了校准标记和操作步骤。本文件只适用于使用电耦合方法进行的芯片间校准。

适用范围：本文件规定了集成电路金属封装外壳的材料、镀覆、设计和结构、电特性、外观质量及环境适应性等方面的技术要求和检验方法。 本文件适用于集成电路金属封装外壳（以下简称“外壳”）的研制、生产、交付和使用。

适用范围：本文件提供了硅通孔（TSV）三维封装的工艺开发验证用可靠性试验方法指南。 本文件适用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三种工艺流程制造的TSV三维封装的工艺验证试验。

适用范围：本文件规定了集成电路知识产权(IP)核的设计开发过程中的一般要求和详细设计要求。 本文件适用于集成电路IP核的开发、转让和集成过程。

适用范围：本文件提供了模拟/混合信号知识产权(IP)核相关文档结构，包括IP核简介、功能规范、设计手册、功能及物理验证文档和应用手册。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者组织撰写模拟/混合信号IP核相关文档、使用者和第三方评价模拟/混合信号IP核文档的质量控制。注： 此处第三方是指在IP核交易过程中进行评测和提供服务的独立机构。

适用范围：主要技术内容:1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 缩略语5 评估测试方案概述5.1 评估测试框架5.1.1网络框架5.1.2 应用场景5.2 评估测试对象5.3 评估测试原则5.4 评估测试环境6 评估测试指标和方法6.1 评估测试方法概述6.1.1材料检查6.1.2技术评估测试6.2 测试模式6.2.1 封闭式训练6.2.2 封闭式推理6.2.3 开放式训练6.2.4 开放式推理6.3 测试场景6.3.1 图像分类6.3.2 目标检测6.3.3 自然语言处理6.3.4 大模型计算6.4 芯片先进性指标和评估方法6.4.1. 芯片基础算力性能6.4.2. 芯片数据计算效率6.4.3. 芯片加速协同能力6.4.4. 芯片能效6.4.5. 芯片安全计算效率6.4.6 芯片灵活适配性6.5 评分方法

适用范围：范围:本文件规定了汽车用集成电路失效分析的总则、一般要求和详细程序与要求。 本文件适用于汽车用集成电路的失效分析; 主要技术内容:本文件规定了汽车用集成电路失效分析的总则、一般要求和详细程序与要求。本文件适用于汽车用集成电路的失效分析

适用范围：本文件描述了集成电路（IC）对150 kHz~3 GHz频率范围内的射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。

适用范围：本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注： 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路驱动器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。本文件适用于74/54系列驱动器、总线驱动器、PIN开关驱动器、达林顿驱动器、时钟驱动器、LVDS驱动器、MOSFET驱动器和差分驱动器等各种半导体工艺制造的驱动器的电性能测试。其他类别驱动器的测试参考使用。

适用范围：本文件定义了集成电路（IC）传导和辐射骚扰电磁抗扰度测量的通用信息，描述了常规的试验条件、试验设备和布置、试验程序和试验报告内容。附录A中给出了试验方法的对照表，帮助选择适当的测量方法。

适用范围：本文件描述了半导体集成电路脉冲宽度调制(PWM)控制器(以下简称器件)参数测试方法。本文件适用于半导体集成电路领域中PWM控制器参数的测试。

适用范围：本文件的目的是检查膜集成电路和混合膜集成电路（FICs和HFICs，以下简称器件）内部的材料、结构和制造工艺。通常在封帽或包封前进行该项检验，从而找出并剔除带有内部缺陷的器件。这种缺陷会导致器件在正常应用中失效。其他的验收准则应与购买商或供应商商定。

适用范围：本文件描述了元器件位移损伤的试验方法。本文件适用于光电集成电路和分立器件，如电荷耦合器件（CCD）、光电耦合器、图像敏感器（APS）、光敏管等，用质子、中子进行位移损伤辐照试验。其他元器件的位移损伤辐照试验参照进行。

适用范围：本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则。 本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。

适用范围：本文件描述了微波电路中检波器（以下简称“检波器”）的电参数测试方法。本文件适用于单管、单片及混合集成等微波电路中检波器的电参数测试，包括检波二极管、均方根检波器、对数放大检波器、包络/峰值检波器等。

适用范围：本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。