GB/T 47562-2026 微机电系统(MEMS)技术 MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片

ICS3108099

CCSL.59.

中华人民共和国国家标准

GB/T47562—2026

微机电系统MEMS技术

()

MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片

Micro-electromechanicalsstemsMEMStechnolo—MEMSsilicon

y()gy

piezoresistivepressureandtemperaturecompositepressuresensorchip

2026-04-30发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T47562—2026

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

结构与分类

4………………2

工艺结构按电隔离类型分类

4.1()……………………2

参考感压腔类型

4.2……………………3

测温原理类型

4.3………………………4

基本参数

5…………………4

测量范围

5.1……………4

工作温度范围

5.2………………………5

补偿温度范围

5.3………………………5

激励电源

5.4……………5

要求

6………………………5

通用要求

6.1……………5

基本性能

6.2……………5

传感器芯片测压基本特性

6.3…………7

传感器芯片测温基本特性

6.4…………8

测温元件压力漂移误差

6.5……………9

试验方法

7…………………9

环境条件

7.1……………9

测试设备

7.2……………9

工作介质

7.3……………9

基本性能

7.4……………9

传感器芯片测压基本特性

7.5…………11

传感器芯片测温基本特性

7.6…………12

测温元件压力漂移误差

7.7……………13

检验规则

8…………………13

检验分类

8.1……………13

检验项目及顺序

8.2……………………13

出厂检验

8.3……………14

型式检验

8.4……………15

标志包装运输及贮存

9、、…………………15

Ⅰ

GB/T47562—2026

通则

9.1…………………15

标志

9.2…………………16

包装

9.3…………………16

运输

9.4…………………16

贮存

9.5…………………16

附录规范性传感器芯片性能指标的计算方法

A()……………………17

实际校准特性

A.1……………………17

参比工作直线

A.2……………………17

满量程输出Y

A.3(FS)…………………19

非线性ξ

A.4(L)………………………19

迟滞ξ

A.5(H)…………………………19

重复性ξ

A.6(R)………………………19

零点输出漂移d

A.7(z)………………20

热零点漂移α

A.8()……………………20

热满量程输出漂移β

A.9()……………21

参考文献

……………………22

Ⅱ

GB/T47562—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会提出

(SAC/TC336)。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会和全国集成电路标准化技术委员会

(SAC/TC336)

共同归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司昆山双桥传感器测控技术有限公

:、

司中机生产力促进中心有限公司沈阳国仪检测技术有限公司国家仪器仪表元器件质量检验检测中

、、(

心深圳市信为科技发展有限公司北京智芯传感科技有限公司无锡芯感智科技股份有限公司无锡

)、、、、

华润上华科技有限公司中国航天时代电子有限公司东南大学无锡华润微电子有限公司苏州大学

、、、、、

武汉大学苏州科技大学中北大学上海芯物科技有限公司胜利油田豪威科工贸有限责任公司陕西

、、、、、

拓普索尔电子科技有限责任公司苏州矩阵光电有限公司深圳安培龙科技股份有限公司西安思微传

、、、

感科技有限公司广东润宇传感器股份有限公司豫矽半导体河南有限公司江西新力传感科技有限

、、()、

公司南京高华科技股份有限公司复远芯上海科技有限公司无锡胜脉电子有限公司龙微科技

、、()、、

无锡有限公司山东国创微纳制造研究院有限公司

()、。

本文件主要起草人陈立国王冰李根梓于振毅杜奋豪张威杨绍松韩志磊黄富年夏长奉

:、、、、、、、、、、

张森邢朝洋周再发朱恩成刘会聪陈志文程新利王俊强姚鹏田林青张博朱忻王家聪徐晨

、、、、、、、、、、、、、、

王淞立申建武方泽川王一宇张睿李晓波陈旭远毕勤汪祖民栾新雨

、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T47562—2026

微机电系统MEMS技术

()

MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片

1范围

本文件规定了硅压阻温压复合压力传感器芯片的结构与分类基本参数要求试验方法

MEMS、、、、

检验规则和标志包装运输及贮存

、、。

本文件适用于硅压阻温压复合压力传感器芯片其他材料基片的压阻式芯片参照使用

MEMS,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

包装储运图形符号标志

GB/T191

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划

GB/T2828.11:(AQL)

周期检验计数抽样程序及表适用于对过程稳定性的检验

GB/T2829()

传感器通用术语

GB/T7665

传感器主要静态性能指标计算方法

GB/T18459

微机电系统技术术语

GB/T26111(MEMS)

半导体芯片产品第部分操作包装和贮存指南

GB/T35010.33:、

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T7665GB/T26111。

31

.

MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片MEMSsiliconpiezoresistivepressureandtemperature

compositepressuresensorchip

利用半导体平面工艺及加工技术将测温元件及压敏电阻制备到硅基结构上能够同时实

MEMS,,

现温度和压力测量的集成传感器芯片

。

32

.

多余物foreignmaterial

芯片表面存在的工艺残留物或外来颗粒物

。

33

.

钝化层passivationlayer

直接在芯片表面上生长或淀积的氧化硅氮化硅或其他绝缘材料

、。

34

.

绝缘介质隔离dielectricisolation

采用绝缘介质层实现敏感元件和衬底完全电隔离的一种方式

。

注区别于常规结隔离方式

:P-N。

1