GB/T 47725-2026 微机电系统(MEMS)技术 硅通孔三维结构可靠性评价要求

ICS31.200

CCSL55

中华人民共和国国家标准

/—

GBT477252026

微机电系统()技术

MEMS

硅通孔三维结构可靠性评价要求

()—

Micro-electromechanicalsstemsMEMStechnolo

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Reuirementsforreliabilitevaluationofthree-dimensionalstructure

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2026-05-25发布2026-12-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT477252026

目次

前言…………………………Ⅲ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4样品………………………2

5失效模式及可靠性评价…………………2

5.1失效模式分类………………………2

5.2可靠性评价项目……………………3

6可靠性评价要求…………………………4

6.1参数评价……………4

6.2内外部形貌评价……………………8

6.3热应力特性评价……………………11

6.4电应力特性评价……………………14

6.5机械特性评价………………………15

6.6互连特性评价………………………18

6.7三维结构评价………………………20

Ⅰ

/—

GBT477252026

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

(/)。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会SACTC336提出

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(/)和全国集成电路标准化技术委员会

SACTC336

(/)共同归口。

SACTC599

:、、

本文件起草单位中国电子科技集团公司第五十五研究所中机生产力促进中心有限公司工业和

、、、、、

信息化部电子第五研究所上海航天技术基础研究所浙江大学厦门大学西北工业大学杭州电子科

、、、、、

技大学宁波中车时代传感器技术有限公司无锡华润上华科技有限公司清华大学武汉大学中国科

、、、()、

学院微电子研究所中国航天时代电子有限公司上海交通大学左蓝微江苏电子技术有限公司联合

、、、

微电子中心有限责任公司东莞理工学院深圳新声半导体有限公司深圳市英唐智能控制股份有限公

、。

司山东国创微纳制造研究院有限公司

:、、、、、、、、、、、

本文件主要起草人朱健李根梓黄旼郁元卫吴静张笑天崔荣吴维丽陈思杜林董树荣

、、、、、、、、、、、、、

马盛林关赫轩伟鹏侯晓伟胡永刚赵嘉昊陈志文焦斌斌李男男吴林晟张树民崔伟陈豪翔

、、。

邹洁江丽娟张南

Ⅲ

/—

GBT477252026

微机电系统()技术

MEMS

硅通孔三维结构可靠性评价要求

1范围

()、

本文件规定了微机电系统MEMS中硅通孔三维结构可靠性评价的样品失效模式分类及可靠性

,、、、、、

评价项目以及参数评价内外部形貌评价热应力特性评价电应力特性评价机械特性评价互连特性

评价和三维结构评价的要求。

,

本文件适用于单层或多层堆叠的TSV三维结构的可靠性评价其中的TSV结构可以是仅通孔侧

、。

壁有金属孔内部填实金属或孔局部填实金属

2规范性引用文件

。,

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

,;,()

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

本文件。

/::

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验高温

GBT2423.22B

/::

环境试验第部分试验方法试验和导则冲击

GBT2423.52Ea

/::

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验和导则稳态加速度

GBT2423.152Ga

/::

环境试验第部分试验方法试验温度变化

GBT2423.222N

/:

硬质合金显微组织的金相测定第部分金相照片和描述

GBT3488.11

/:()

半导体器件机械和气候试验方法第部分强加速稳态湿热试验

GBT4937.44HAST

/:

半导体器件机械和气候试验方法第部分扫频振动

GBT4937.1212

/:

半导体器件机械和气候试验方法第部分芯片剪切强度

GBT4937.1919

/:

半导体器件机械和气候试验方法第部分键合强度

GBT4937.2222

/:

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

GBT4937.2323

/微束分析原子序数不小于的元素能谱法定量分析

GBT1735911

/微机电系统()技术术语

GBT26111MEMS

/:

三维集成电路第部分术语和定义

GBT43536.11

/()

半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿试验

GBT45718TDDB

/半导体器件恒流电迁移试验

GBT45722

3术语和定义

/和/界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

GBT26111GBT43536.1

3.1

硅通孔;

throuh-siliconviaTSV

g

、。

硅衬底的上下两个表面之间垂直穿透的电互连

[:/—,,]

来源GBT2611120233.6.11有修改

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