GB/T 46788-2025 半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T46788—2025/IEC624832013

:

半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的

锡须的环境接收要求

Environmentalacceptancerequirementsfortinwhiskersusceptibilityoftinand

tinalloysurfacefinishesonsemiconductordevices

IEC624832013IDT

(:,)

2025-12-02发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T46788—2025/IEC624832013

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

测量锡须生长的试验方法

4………………6

程序

4.1…………………6

试验样品

4.2……………7

注意事项

4.3……………7

回流焊

4.4………………7

表面镀涂的锡和锡合金接收试验程序

5…………………8

技术制造工艺或相似性接收试验的确定

5.1、…………8

样品

5.2…………………11

试验程序及持续时间

5.3………………13

确定试验中用到的等级

5.4……………16

接收试验判据

6……………16

通则

6.1…………………16

排除通孔引线端头的锡须

6.2…………16

报告

7………………………17

一般要求

7.1……………17

使用表中的技术和工艺参数来描述表面镀涂

7.22…………………17

样品和预处理

7.3………………………17

接收试验

7.4……………18

生长中的锡须评估

8………………………18

附录资料性测量半导体器件锡和锡合金表面镀涂上锡须生长的试验方法

A()……19

概述

A.1………………19

免责声明

A.2…………………………19

仪器设备

A.3…………………………20

光学显微镜设备确认

A.4……………21

样品要求和可选的预处理

A.5………………………22

锡须检查长度测量和试验条件

A.6、…………………25

Ⅰ

GB/T46788—2025/IEC624832013

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求

IEC62483:2013《》。

本文件增加了规范性引用文件一章

“”。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

增加了中注延缓锡须生长的具体措施示例

a)5.4“”;

增加了表中n代表每个引线引出端或试样检查区域的锡须总数

b)A.7“”“、”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所深圳市创智成功科技有限公司深圳基本

:、、

半导体有限公司厦门旌存半导体技术有限公司广州海关技术中心中山奥士森电子有限公司广东省

、、、、

中绍宣标准化技术研究院有限公司江苏上达半导体有限公司佛山市蓝箭电子股份有限公司河北中

、、、

电科航检测技术服务有限公司

。

本文件主要起草人裴选彭浩姚玉席善斌宋玉玺高东阳蒙肇芸汪之涵和巍巍李华辉

:、、、、、、、、、、

龙秀才王英程裴晓波林钰岚尹丽仪孙彬张国光魏兵

、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T46788—2025/IEC624832013

:

引言

为了满足无铅要求许多电子行业制造商采用了锡基表面镀涂但是锡和锡合金表面镀涂易于形

,。,

成锡须可能会降低产品可靠性采取合适的延缓措施来降低锡须形成倾向以满足接收条件

,。,。

本文件附录给出的试验条件和合格判据是基于现有的锡须数据这些试验条件尚未与使用中

A。

的器件长期环境暴露相关联因此目前尚无方法基于本文件中通过短期试验测量得到的锡须长度来

。,

定量预测长期的锡须长度目前尚未完全理解锡须生长的基本机制本文件未规定加速因子因此

。,,。,

本文件描述的试验不能保证在现场使用条件下锡须是否会生长

。

Ⅳ

GB/T46788—2025/IEC624832013

:

半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的

锡须的环境接收要求

1范围

本文件规定了半导体器件表面锡基镀涂的环境接收试验和延缓锡须生长的方法本方法可能不能

。

满足有特定需求的应用如军用航天等在合适的要求或采购文件中规定补充要求

(:、),。

本文件不适用于只有底部引出端的半导体器件如方形扁平无引线和球栅阵列器件倒装芯片凸

(:、

点引出端由于这类器件在组装过程中引出端全部镀层表面会被浸润

),。

使用本文件时同时满足第章的报告要求

,7。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

基体金属basemetal

位于所有表面镀涂和或底镀层下方的金属合金见图

(),1。

图1器件表面镀涂截面图

32

.

锡和锡合金表面镀涂tinandtinalloysurfacefinish

器件外引出端和其他暴露金属的锡基外表面镀涂

。

33

.

延缓锡须生长措施tinwhiskermitigationpractice

器件制造过程中通过减小表面镀涂内部压应力来降低锡须生长倾向的工艺

,。

1