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T/IAWBS 025-2025 碳化硅器件功率循环试验方法

T/IAWBS 025-2025 Power cycling test methods for silicon carbide power devices

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/IAWBS 025-2025
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
C39 医用电子仪器设备
国际标准分类号（ICS）
31.080.01 半导体器分立件综合
发布日期
2025-09-24
实施日期
2025-10-10
发布单位/组织
-
归口单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。 本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混 合封装器件的测试。 本文件规定了碳化硅（SiC）二极管器件、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）器件以及二者混合封装的器件，在进行功率循环试验时，需要遵循的方法和步骤

发布历史

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研制信息

起草单位：
中国科学院电工研究所、华中科技大学、浙江芯丰科技有限公司、 华侨大学、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
起草人：
张瑾、邹欣宇、王智强、傅金源、郭兴华、刘祎晨
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

暂无内容

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