GB/T 45719-2025 半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T45719—2025/IEC624162010

:

半导体器件金属氧化物半导体MOS

()

晶体管的热载流子试验

Semiconductordevices—Hotcarriertestonmetal-oxidesemiconductorMOS

()

transistors

IEC624162010Semiconductordevices—HotcarriertestonMOS

(:,

transistorsIDT

,)

2025-05-30发布2025-09-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T45719—2025/IEC624162010

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

符号和缩略语

4……………1

测试结构

5…………………2

应力时间

6…………………2

应力条件

7…………………2

样本量

8……………………3

温度

9………………………3

失效判据

10…………………3

寿命评估方法

11……………3

寿命时间要求

12……………4

报告

13………………………4

参考文献

………………………6

Ⅰ

GB/T45719—2025/IEC624162010

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半导体器件晶体管的热载流子试验

IEC62416:2010《MOS》。

本文件增加了规范性引用文件和术语和定义两章

“”“”。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为半导体器件金属氧化物半导体晶体管的热

———,《(MOS)

载流子试验

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所西安电子科技大学国防科技大学河北北芯半

:、、、

导体科技有限公司中国电子科技集团公司电子第五十八研究所

、。

本文件主要起草人路国光章晓文林晓玲游海龙杨少华彭超肖庆中韦覃如来萍梁斌

:、、、、、、、、、、

张魁赵文斌晋李华

、、。

Ⅲ

GB/T45719—2025/IEC624162010

:

半导体器件金属氧化物半导体MOS

()

晶体管的热载流子试验

1范围

本文件描述了晶圆级的和晶体管热载流子试验方法该试验旨在确定某个

NMOSPMOS,CMOS

工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间

。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义

。

4符号和缩略语

下列符号和缩略语适用于本文件

。

互补

(C)MOS:MOS。

g晶体管的跨导

m(μA/V):MOS。

g晶体管的最大跨导

m,max(μA/V):MOS。

g方形晶体管的gLW

m,max(MOST):MOSm,max(=)。

I晶体管的衬底电流

b(μA):MOS。

I晶体管的漏源电流

ds(μA):MOS-。

IVVV时的饱和漏源电流应力作用期间不改变源极和漏极的条件下测

ds,sat(μA):gs=ds=ds,use_max;,

量得到I当改变源极和漏极的位置的条件下测量得到I

ds,sat_forward,ds,sat_reverse。

I晶体管的栅极电流

g(nA):MOS。

L晶体管的栅极的长度

(μm):MOS。

L方形晶体管的长度LW

(MOST):MOS(=)。

L晶体管的有效电沟道长度对于给定的沟道长度LL由大的方形晶体管

eff(μm):MOS。,effMOS

的g确定WLL

m,max(=≫nominal)。

L工艺设计规则允许的最小长度

nominal(μm):。

金属氧化物半导体

MOS:。

沟道晶体管

NMOS:nMOS。

沟道晶体管

PMOS:pMOS。

τ晶体管的寿命

(s)Τ:MOS。

V晶体管的体源电压

bs(V):MOS。

V晶体管的漏源电压

ds(V):MOS-。

V晶体管的栅源电压

gs(V):MOS-。

1