GB/T 45716-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T45716—2025/IEC623732006

:

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶

体管MOSFETs的偏置温度不稳定性试验

()

Semiconductordevices—Bias-temperatureinstabilitytestformetal-

oxidesemiconductorfield-effecttransistorsMOSFETs

()

IEC623732006Bias-temeraturestabilittestformetal-oxide

[:,py,

semiconductorfield-effecttransistorsMOSFETIDT

,(),]

2025-05-30发布2025-09-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T45716—2025/IEC623732006

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验设备

4…………………3

设备

4.1…………………3

处理要求

4.2……………3

试验样品

5…………………3

样品

5.1…………………3

封装

5.2…………………4

防静电保护电路

5.3……………………4

程序

6………………………4

初始测量和读取点测量

6.1……………4

试验

6.2…………………5

场试验注意事项

6.3MOSFET………………………6

判据

6.4…………………6

附录资料性晶圆级可靠性试验试验

A()(WLR)………7

晶圆级可靠性试验试验的目的

A.1(WLR)…………7

最终试验时间

A.2………………………7

参考文献

………………………8

Ⅰ

GB/T45716—2025/IEC623732006

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置温度稳

IEC62373:2006《(MOSFET)

态试验

》。

本文件增加了规范性引用文件一章

“”。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管

———,《(MOS-

的偏置温度不稳定性试验

FETs)》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位工业和信息化部电子第五研究所河北北芯半导体科技有限公司上海交通大学

:、、、

中科院微电子所厦门芯阳科技股份有限公司深圳市威兆半导体股份有限公司浙江朗德电子科技有

、、、

限公司中国电子科技集团公司第十三研究所

、。

本文件主要起草人恩云飞高汭章晓文来萍柴智林晓玲陈义强周圣泽高金环任鹏鹏

:、、、、、、、、、、

都安彦李伟聪陈磊冉红雷

、、、。

Ⅲ

GB/T45716—2025/IEC623732006

:

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管

MOSFETs的偏置温度不稳定性试验

()

1范围

本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置温度不稳定性试验方法

(MOSFETs)(BTI)。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

恒流阈值电压constantcurrentthresholdvoltage

V

th-ci

漏极源极电压处于线性区域内或推荐的工作电压典型值时漏极电流等于乘以栅极宽度单

-,0.1(

位为微米时的栅极源极电压

)-。

注此定义用公式表示

:(1)。

V=V

th-ciGS…………(1)

式中

:

V在公式条件下的栅极源极电压

GS———(2)-。

I=.×W