GB/T 45716-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T45716—2025/IEC623732006

:

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶

体管MOSFETs的偏置温度不稳定性试验

()

Semiconductordevices—Bias-temperatureinstabilitytestformetal-

oxidesemiconductorfield-effecttransistorsMOSFETs

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IEC623732006Bias-temeraturestabilittestformetal-oxide

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2025-05-30发布2025-09-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T45716—2025/IEC623732006

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验设备

4…………………3

设备

4.1…………………3

处理要求

4.2……………3

试验样品

5…………………3

样品

5.1…………………3

封装

5.2…………………4

防静电保护电路

5.3……………………4

程序

6………………………4

初始测量和读取