GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法

GB/T 249-2017 The rule of type designation for discrete semiconductor devices

国家标准中文简体现行页数：5页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 249-2017

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

L40/49 半导体分立器件

国际标准分类号（ICS）

31.080.01 半导体器分立件综合

发布日期

2017-05-12

实施日期

2017-12-01

发布单位/组织

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

适用范围

本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。
本标准适用于各种半导体分立器件。

发布历史

2017年05月

GB/T 249-2017　半导体分立器件型号命名方法

当前标准现行 2017-05-12
2026年02月

GB/T 249-2026　半导体分立器件型号命名方法

即将实施 2026-02-27

文前页预览

研制信息

起草单位：: 中国电子科技集团公司第十三研究所

起草人：: 陈海蓉、崔波、李丽霞

出版信息：: 页数：5页 | 字数：9 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS31.080.01

L40

中华人民共和国国家标准

/—

GBT2492017

代替/—

GBT2491989

半导体分立器件型号命名方法

Theruleoftedesinationfordiscretesemiconductordevices

ypg

2017-05-12发布2017-12-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT2492017

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》,/—

本标准代替GBT2491989半导体分立器件型号命名方法与GBT2491989相比主要技

术变化如下:

———(,);

混频管和检波管分别命名见3.11989年版的3.1

———,();

二极管第二部分增加了符号代表化合物或合金材料见

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关联标准

替代以下标准

GB/T 249-1989

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