GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法

ICS31.080.01

L40

中华人民共和国国家标准

/—

GBT2492017

代替/—

GBT2491989

半导体分立器件型号命名方法

Theruleoftedesinationfordiscretesemiconductordevices

ypg

2017-05-12发布2017-12-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

/—

GBT2492017

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》,/—

本标准代替GBT2491989半导体分立器件型号命名方法与GBT2491989相比主要技

术变化如下:

———(,);

混频管和检波管分别命名见3.11989年版的3.1

———,();

二极管第二部分增加了符号代表化合物或合金材料见