GB/T 4023.1-2026 半导体分立器件 第1部分：分规范

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T40231—2026

.

代替GB/T12560—1999

半导体分立器件第1部分分规范

:

Discretesemiconductordevices—Part1Sectionalsecification

:p

2026-03-31发布2026-10-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T40231—2026

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………2

技术要求

4…………………2

总体要求

4.1……………2

功能特性要求

4.2………………………2

耐电应力要求

4.3………………………2

耐环境应力要求

4.4……………………3

耐机械应力要求

4.5……………………3

工作温度的推荐值优选值

4.6()………………………3

电压和电流的推荐值优选值

4.7()……………………3

标志

4.8…………………3

型号命名

4.9……………4

质量保证程序

4.10………………………4

质量保证等级

4.11………………………4

技术鉴定

4.12……………4

设计验证

4.13……………4

工艺过程监控

4.14………………………4

电参数波动监控

4.15……………………4

鉴定检验

4.16……………5

质量一致性检验

4.17……………………5

结构相似性判定

4.18……………………5

试验方法

5…………………6

总则

5.1…………………6

功能特性的测试和验证

5.2……………6

耐电应力能力试验

5.3…………………6

耐环境应力试验

5.4……………………7

耐机械应力试验

5.5……………………8

检验规则

6…………………9

通则

6.1…………………9

检验分类

6.2……………9

Ⅰ

GB/T40231—2026

.

检验批

6.3………………9

失效判定

6.4……………9

筛选

6.5…………………10

质量一致性检验

6.6……………………10

鉴定检验

6.7……………14

更改设计后的检验要求

6.8……………15

包装运输和贮存

7、………………………18

包装

7.1…………………18

运输和贮存

7.2…………………………18

附录规范性塑封分立器件的潮湿敏感度分级试验方法

A()…………19

试验设备和试验环境

A.1………………19

器件潮湿敏感度分级

A.2………………19

程序

A.3…………………20

判据

A.4…………………23

重新分级

A.5……………24

潮湿敏感度分级试验后的储存要求

A.6………………25

吸湿除湿

A.7/……………25

规定的细节

A.8…………………………26

Ⅱ

GB/T40231—2026

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是的第部分已经发布了以下部分

GB/T40231。GB/T4023:

半导体分立器件第部分分规范

———1:(GB/T4023.1—2026);

半导体器件分立器件和集成电路第部分整流二极管

———2:(GB/T4023—2015);

半导体分立器件第部分信号开关和调整二极管

———3:、(GB/T4023.3—2026);

半导体分立器件第部分微波二极管和晶体管

———4:(GB/T4023.4—2026)。

本文件代替半导体器件分立器件分规范与相比除

GB/T12560—1999《》。GB/T12560—1999,

结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,:

质量保证等级增加了工业级和汽车级两个等级见

a)(4.11);

增加了结构相似性的判定原则和应用细则见

b)(4.18);

增加了组检验该分组仅鉴定检验时进行见

c)D,(6.7.4);

增加了适用于塑封器件的预处理强加速稳态湿热试验潮湿敏感度等级试验等试验项目见

d)、、(

表表和表

4、56);

增加了功率循环试验高温反偏和高温栅偏试验见表和表

e)、(45);

删除了试验和测试方法见年版的第章

f)“”(19994);

更改了鉴定检验和质量一致性检验各分组的抽样方案见表表年版的表和表

g)(3~6,199967)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院济南晶恒电子有限责任公司杭州三海电子科技股

:、、

份有限公司深圳市美浦森半导体有限公司常州银河世纪微电子股份有限公司江苏捷捷微电子股份

、、、

有限公司辽宁芯诺电子科技有限公司西安卫光科技有限公司西安环宇芯微电子有限公司中国电子

、、、、

科技集团公司第十三研究所扬州扬杰电子科技股份有限公司深圳市玥芯通科技有限公司新启航半

、、、

导体有限公司

。

本文件主要起草人张秋闫美存马睿彤崔同侯秀萍冯海科胡烺庄建军颜呈祥吴南高俊

:、、、、、、、、、、、

周建国丁文华智晶戴俊夫韩东王毅杨波王庭云

、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为年第一次修订

———1990GB/T12560—1990,1999;

本次为第二次修订调整为的第部分

———,GB/T40231。

Ⅲ

GB/T40231—2026

.

引言

半导体分立器件是电子行业的通用基础产品为电子系统中的最基本单元其性能与可靠性直接影

,,

响工程质量和可靠性作为基础标准旨在规范半导体分立器件的参数体系测试方法及

。GB/T4023,、

可靠性评价拟由九个部分构成

,。

第部分分规范目的在于规定半导体分立器件除光电子器件和分立器件模块外的质量

———1:。()

保证要求

。

第部分整流二极管目的在于规定整流二极管的术语文字符号基本额定值和特性以及

———2:。、、

测试方法等产品特定要求

。

第部分信号开关和调整二极管目的在于规定信号开关和调整二极管的术语文字符

———3:、。、、

号基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

、。

第部分微波二极管和晶体管目的在于规定微波二极管和晶体管的术语文字符号基本

———4:。、、

额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

。

第部分晶闸管目的在于规定晶闸管的术语文字符号基本额定值和特性以及测试方法

———6:。、、

等产品特定要求

。

第部分双极型晶体管目的在于规定双极型晶体管微波晶体管除外的术语文字符号

———7:。()、、

基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

。

第部分场效应晶体管目的在于规定场效应晶体管的术语文字符号基本额定值和特性

———8:。、、

以及测试方法等产品特定要求

。

第部分绝缘栅双极晶体管目的在于规定绝缘栅双极晶体管的术语文

———9:(IGBT)。(IGBT)、

字符号基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

、。

第部分绝缘功率半导体器件目的在于规定绝缘功率半导体器件的术语文字符号基本

———15:。、、

额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

。

所有部分采取自主制定与采用系列中与分立器件相关标准相结合的方

GB/T4023()IEC60747

式实现半导体分立器件的参数体系测试方法和可靠性评价等满足国内半导体分立器件的需求同时

,、,

与国际接轨通过制定该文件为半导体分立器件的研制生产和检验提供依据和重要支撑

。,、。

Ⅳ

GB/T40231—2026

.

半导体分立器件第1部分分规范

:

1范围

本文件规定了半导体分立器件以下简称器件的术语和定义技术要求试验方法检验规则以

(“”)、、、

及包装运输和贮存要求

、。

本文件适用于除光电子器件和分立器件模块之外的半导体分立器件

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体分立器件型号命名方法

GB/T249

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验高温

GB/T2423.2—20082:B:

环境试验第部分试验方法试验和导则冲击

GB/T2423.52:Ea:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验和导则稳态加速度

GB/T2423.152:Ga:

环境试验第部分试验方法试验低气压

GB/T2423.212:M:

半导体器件分立器件和集成电路第部分整流二极管

GB/T40232:

半导体分立器件第部分信号开关和调整二极管

GB/T4023.33:、

半导体分立器件第部分微波二极管和晶体管

GB/T4023.44:

半导体器件分立器件第部分场效应晶体管

GB/T45868:

半导体器件分立器件第部分双极型晶体管

GB/T45877:

半导体器件第部分分立器件和集成电路总规范

GB/T4589.1—200610:

所有部分半导体器件机械和气候试验方法

GB/T4937()

半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检

GB/T4937.33:

半导体器件机械和气候试验方法第部分强加速稳态湿热试验

GB/T4937.44:(HAST)

半导体器件机械和气候试验方法第部分密封

GB/T4937.88:

半导体器件机械和气候试验方法第部分标志耐久性

GB/T4937.99:

半导体器件机械和气候试验方法第部分扫频振动

GB/T4937.1212:

半导体器件机械和气候试验方法第部分盐雾

GB/T4937.1313:

半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度引线牢固性

GB/T4937.1414:()

半导体器件机械和气候试验方法第部分通孔安装器件的耐焊接热

GB/T4937.1515:

半导体器件机械和气候试验方法第部分芯片剪切强度

GB/T4937.1919:

半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半导体器件机械和气候试验方法第部分键合强度

GB/T4937.2222:

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

GB/T4937.23—202323:

半导体器件机械和气候试验方法第部分加速耐湿无偏置强加速应力

GB/T4937.2424:

试验

半导体器件机械和气候试验方法第部分温度循环

GB/T4937.2525:

1