GB/T 4023.4-2026 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管

ICS31080103108030

;

CCSL.45...

中华人民共和国国家标准

GB/T40234—2026

.

代替GB/T20516—2006

半导体分立器件

第4部分微波二极管和晶体管

:

Discretesemiconductordevices—Part4Microwavediodesandtransistors

:

IEC60747-42017Semiconductordevices—Discretedevices—

(:,

Part4MicrowavediodesandtransistorsMOD

:,)

2026-04-30发布2026-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T40234—2026

.

目次

前言

…………………………Ⅶ

引言

…………………………Ⅸ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

微波二极管

3.1…………………………1

晶体管

3.2………………6

变容二极管

4………………10

概述

4.1…………………10

基本额定值和特性

4.2…………………10

额定值

4.2.1…………………………10

特性

4.2.2……………11

测试方法

4.3……………12

总电容C

4.3.1t………………………12

反向电流I

4.3.2R……………………14

反向击穿电压V

4.3.3BR……………14

正向微分电阻r

4.3.4F………………15

稳态热阻R

4.3.5th…………………16

串联电感L

4.3.6s…………………18

品质因素Q

4.3.7……………………19

串联电阻R

4.3.8s…………………21

截止频率f

4.3.9c…………………21

阶跃二极管

5………………21

概述

5.1…………………21

基本额定值和特性

5.2…………………22

额定值

5.2.1…………………………22

特性

5.2.2……………22

测试方法

5.3……………23

分布电容C结电容C和总电容C

5.3.1P、jt………23

反向电流I

5.3.2R……………………23

反向击穿电压V

5.3.3BR……………23

正向电压V

5.3.4F…………………23

正向微分电阻r

5.3.5F………………25

Ⅰ

GB/T40234—2026

.

稳态热阻R

5.3.6th…………………25

串联电感L

5.3.7s…………………25

串联电阻R

5.3.8s…………………25

少数载流子寿命τ

5.3.9……………25

阶跃时间t

5.3.10st…………………27

混频二极管

6………………28

概述

6.1…………………28

基本额定值和特性

6.2…………………29

额定值

6.2.1…………………………29

特性

6.2.2……………29

测试方法

6.3……………30

分布电容C结电容C和总电容C

6.3.1P、jt………30

反向电流I

6.3.2R……………………30

反向击穿电压V

6.3.3BR……………30

正向电压V

6.3.4F…………………30

正向微分电阻r

6.3.5F………………30

动态电阻R

6.3.6D…………………30

串联电感L

6.3.7s…………………30

串联电阻R混频二极管

6.3.8s()……………………30

噪声系数NF

6.3.9…………………31

中频阻抗Z

6.3.10if…………………31

电压驻波比VSWR

6.3.11…………33

变频损耗L

6.3.12c…………………35

输出噪声比N

6.3.13r………………37

可承受最大功率P

6.3.14m…………39

检波二极管

7………………40

概述

7.1…………………40

基本额定值和特性

7.2…………………40

额定值

7.2.1…………………………40

特性

7.2.2……………41

测试方法

7.3……………41

分布电容C结电容C和总电容C

7.3.1P、jt………41

反向电流I

7.3.2R……………………41

反向击穿电压V

7.3.3BR……………42

正向电压V

7.3.4F…………………42

正向微分电阻r

7.3.5F………………42

动态电阻R

7.3.6D…………………42

Ⅱ

GB/T40234—2026

.

串联电阻R

7.3.7s…………………42

视频电阻R

7.3.8v…………………42

电压灵敏度S

7.3.9v…………………43

电流灵敏度S

7.3.10i………………44

正切灵敏度T

7.3.11SS………………45

可承受最大功率P

7.3.12m…………46

体效应二极管

8……………46

概述

8.1…………………46

基本额定值和特性

8.2…………………46

额定值

8.2.1…………………………46

特性

8.2.2……………47

测试方法

8.3……………47

低场电阻R

8.3.10…………………47

阈值电流I阈值电压V

8.3.2th、th…………………48

脉冲击穿电压V

8.3.3BR……………49

热阻R体效应二极管

8.3.4th()……………………50

微波输出功率P频率f效率η

8.3.5o、、…………51

二极管

9PIN………………53

概述

9.1…………………53

基本额定值和特性

9.2…………………53

额定值

9.2.1…………………………53

特性

9.2.2……………53

测试方法

9.3……………54

分布电容C结电容C和总电容C

9.3.1P、jt………54

反向电流I

9.3.2R……………………54

反向击穿电压V

9.3.3BR……………54

正向电压V

9.3.4F…………………54

正向微分电阻r

9.3.5F………………54

稳态热阻R

9.3.6th…………………54

瞬态热阻Z

9.3.7th…………………54

串联电阻R

9.3.8s…………………56

少数载流子寿命τ

9.3.9……………56

有效少数载流子寿命

9.3.10………………………56

反向恢复时间t

9.3.11rr……………58

噪声二极管

10……………59

概述

10.1………………59

基本额定值和特性

10.2………………59

Ⅲ

GB/T40234—2026

.

额定值

10.2.1………………………59

特性

10.2.2…………………………60

测试方法

10.3…………………………60

分布电容C结电容C和总电容C

10.3.1P、jt………60

反向电流I

10.3.2R…………………61

反向击穿电压V

10.3.3BR……………61

正向电压V

10.3.4F…………………61

正向微分电阻r

10.3.5F……………61

反向微分电阻r

10.3.6R……………61

超噪比ENR

10.3.7…………………61

双极型晶体管

11…………………………62

概述

11.1………………62

基本额定值和特性

11.2………………62

概述

11.2.1…………………………62

限值绝对最大额定值体系

11.2.2()………………63

测试方法

11.3…………………………64

概述

11.3.1…………………………64

直流特性

11.3.2……………………66

射频特性

11.3.3……………………66

验证方法

11.4…………………………77

负载失配容限ψ

11.4.1(L)…………77

源失配容限ψ

11.4.2(S)……………80

负载失配不损坏ψ

11.4.3(R)………………………82

场效应晶体管

12………………………83

概述

12.1………………83

基本额定值和特性

12.2………………83

概述

12.2.1…………………………83

限值绝对最大额定值体系

12.2.2()………………84

测试方法

12.3…………………………85

概述

12.3.1…………………………85

直流特性

12.3.2……………………86

射频特性

12.3.3……………………92

验证方法

12.4…………………………101

负载失配容限ψ

12.4.1(L)…………101

源失配容限ψ

12.4.2(S)……………101

负载失配不损坏ψ

12.4.3(R)………………………101

评价和可靠性特殊要求

13———…………101

Ⅳ

GB/T40234—2026

.

电试验条件

13.1………………………101

接收试验的失效判据和判定失效的特性

13.2………101

可靠性试验的失效判据和判定失效的特性

13.3……………………101

试验出现差错时的程序

13.4…………101

附录资料性结构编号对照一览表

A()………………106

附录资料性技术差异及其原因

B()…………………109

Ⅴ

GB/T40234—2026

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是的第部分已经发布了以下部分

GB/T40234。GB/T4023:

半导体分立器件第部分分规范

———1:(GB/T4023.1—2026);

半导体器件分立器件和集成电路第部分整流二极管

———