适用范围：主要技术内容:本标准界定了硅光电倍增管（Silicon Photomultiplier, SiPM）可靠性评定的一般要求和试验方法。本标准适用于所有硅光电倍增管的可靠性评估，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关。其他类型的雪崩器件可参照执行

适用范围：主要技术内容:本标准规定了硅光电倍增管性能测试方法，包括测试目的、测试步骤、测试要求、测量方法等本文件适用于SiPM性能的测试，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关

适用范围：范围:本文件规定了UVC-LED杀菌芯片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。 本文件适用于倒装结构的UVC-LED杀菌芯片的生产和检验; 主要技术内容:4 技术要求4.1 外观质量4.2 结构和材质4.3 外形尺寸4.4 光电特性4.5 光电参数的范围要求4.6 绝对最大额定值4.7 环境适应性5 试验方法5.1 试验条件5.2 外观质量5.3 外形尺寸5.4 光电特性5.5 环境适应性6 检验规则6.1 检验分类6.2 组批6.3 重新提交6.4 筛选6.5 鉴定检验6.6 质量一致性检验6.7 样品的处理6.8 不合格判定7 标志、包装、运输、贮存7.1 标志7.2 包装7.3 运输7.4 贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了单色Micro LED的光学特性测试方法

适用范围：主要技术内容:本文件规范规定了高性能数据备份与恢复系统技术的术语和定义、技术要求和测试要求。本文件规范适用于对高性能数据备份与恢复系统技术产品的研制、生产、测试以及评估与认证

适用范围：主要技术内容:本文件规定了LED芯片的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于LED芯片的生产和检验

适用范围：主要技术内容:ESD/TVS静电保护类器件测试规范1  范围2  规范性引用文件3  术语和定义3.1  静电阻抗器Electro-Static Discharge3.2  瞬态抑制二极管Transient Voltage Suppressor3.3  击穿电压Breakdown Voltage3.4  反向截止电压Reverse Stand-Off Voltage3.5 反向脉冲峰值电流Peak Pulse Current3.6  箝位电压Clamping Voltage3.7  反向脉冲峰值功率 Reverse pulse peak power3.8  结电容Junction capacitor3.9  反向漏电流 Current Intensity Reverse3.10  I-V特性曲线3.11  C-V特性曲线3.12  传输线脉冲 Transmission Line Pulse4  分类型号4.1 分类4.2 型号5  测试方法5.1 总则5.2 测试目的5.3 测试条件5.4 测试设备和装置5.5测试关键指标5.6 测试内容5.7 关键参数示例附录  AESD/TVS静电保护类器件测试方法A.1 测试条件A.2 测试设备A.3测试步骤A.4 测试结果分析A.5测试数据记录参考文献

适用范围：本部分给出下列各类或各分类器件的标准：整流二极管包括：--雪崩整流二极管；--可控雪崩整流二极管；--快开关整流二极管。

适用范围：本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。

适用范围：本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 当本部分与相应的详细规范有矛盾时，以详细规范为准。