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现行
译：SJ/T 11845.3-2022 Low-frequency noise parameter-based reliability evaluation method for electronic components Part 3: Diodes. (English translation only)
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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废止
译：T/SZSA 031.01-2022 ESD/TVS Electrostatic Discharge/Thunderbolt Static Voltage Surge Protective Devices Test Specification
适用范围：主要技术内容:ESD/TVS静电保护类器件测试规范1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义3.1 静电阻抗器Electro-Static Discharge3.2 瞬态抑制二极管Transient Voltage Suppressor3.3 击穿电压Breakdown Voltage3.4 反向截止电压Reverse Stand-Off Voltage3.5 反向脉冲峰值电流Peak Pulse Current3.6 箝位电压Clamping Voltage3.7 反向脉冲峰值功率 Reverse pulse peak power3.8 结电容Junction capacitor3.9 反向漏电流 Current Intensity Reverse3.10 I-V特性曲线3.11 C-V特性曲线3.12 传输线脉冲 Transmission Line Pulse4 分类型号4.1 分类4.2 型号5 测试方法5.1 总则5.2 测试目的5.3 测试条件5.4 测试设备和装置5.5测试关键指标5.6 测试内容5.7 关键参数示例附录 AESD/TVS静电保护类器件测试方法A.1 测试条件A.2 测试设备A.3测试步骤A.4 测试结果分析A.5测试数据记录参考文献
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：暂无
发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2022-04-11 | 实施时间： 2022-04-20
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现行
译：GB/T 4023-2015 Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2: Rectifier diodes
适用范围：本部分给出下列各类或各分类器件的标准：整流二极管包括：--雪崩整流二极管；--可控雪崩整流二极管；--快开关整流二极管。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-12-31 | 实施时间： 2017-01-01
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现行
译：SJ/T 2215-2015 Semiconductor photoelectric coupler testing method
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L50/54光电子器件
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01
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废止
译：DB52/T 860-2013 Detailed specification for 5KP series silicon transient voltage suppressor diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间： 2013-12-06 | 实施时间： 2014-02-01
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废止
译：DB52/T 861-2013 Model 2CB003 Silicon Avalanche Rectifier Diode Detailed Specification
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间： 2013-12-06 | 实施时间： 2014-02-01
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现行
译：JB/T 8949.2-2013 JB/T 8949.2-2013 Ordinary Rectifier Tubes Part 2: Flat Devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01
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现行
译：JB/T 8949.1-2013 JB/T 8949.1-2013 General Rectifier Diodes Part 1: Bolted Devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01
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现行
译：JB/T 7624-2013 Test Methods for Rectifier Diodes JB/T 7624-2013
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01
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现行
译：GB/T 4937.1-2006 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 1:General
适用范围：本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。
当本部分与相应的详细规范有矛盾时，以详细规范为准。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-08-23 | 实施时间： 2007-02-01
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现行
译：GB/T 4937.2-2006 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 2:Low air pressure
适用范围：本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。
本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-08-23 | 实施时间： 2007-02-01
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现行
译：GB/T 6589-2002 Semiconductor devices—discrete devices—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2002-12-04 | 实施时间： 2003-05-01
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现行
译：GB/T 6588-2000 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes Section One—Blank detail specification for signal diodes,switching diodes and controlled-avalanche diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2000-10-17 | 实施时间： 2001-10-01
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现行
译：GB/T 6351-1998 Semiconductor devices Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One-Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes), ambient and case-rated,up to 100A
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01
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被代替
译：GB/T 4023-1997 Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2:Rectifier diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-10-07 | 实施时间： 1998-09-01
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现行
译：GB/T 16894-1997 Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100A
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-06-28 | 实施时间： 1998-03-01
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现行
译：GB/T 6571-1995 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-07-24 | 实施时间： 1996-04-01
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废止
译：GB/T 15177-1994 Blank detail specification for microwave detectors and mixer diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-20 | 实施时间： 1995-04-01
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废止
译：GB/T 15178-1994 Blank detail specification for variable capacitance diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-20 | 实施时间： 1995-04-01
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废止
译：GB/T 15137-1994 Blank detail specification for gunn diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-06-25 | 实施时间： 1995-04-01
废止
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
被代替
现行
现行
废止
废止
废止