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现行
译：JB/T 5836.2-2026 Fast Recovery Diode Part 2: Module
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2026-02-13 | 实施时间： 2026-09-01
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现行
译：JB/T 5834.2-2026 Electric power semiconductor module rectifier tube module Part 2: Single-phase bridge
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2026-02-13 | 实施时间： 2026-09-01
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现行
译：JB/T 6307.2-2026 Electricity semiconductor module testing method - Rectifier module Part 2: Single-phase bridge
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2026-02-13 | 实施时间： 2026-09-01
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现行
译：JB/T 15404-2026 Electricity-based semiconductor module rectifier tube and thyristor hybrid module arm
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2026-02-13 | 实施时间： 2026-09-01
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现行
译：JB/T 6307.3-2026 Testing Method for Power Semiconductor Modules - Rectifier Module Part 3: Three-phase Bridge
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2026-02-13 | 实施时间： 2026-09-01
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现行
译：JB/T 5834.1-2026 Electric power semiconductor module rectifier tube module Part 1: Arms and arm pairs
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2026-02-13 | 实施时间： 2026-09-01
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现行
译：JB/T 5834.3-2026 Electric power semiconductor module rectifier tube module Part 3: Three-phase bridge
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2026-02-13 | 实施时间： 2026-09-01
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现行
译：JB/T 6307.1-2026 Power semiconductor module testing method Part 1: Arm and Arm Pair for Rectifier Module
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2026-02-13 | 实施时间： 2026-09-01
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现行
译：SJ/T 12071-2025 Semiconductor Devices Differentiated Devices Silicon Carbide Diodes Class Specification
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-12-19 | 实施时间： 2026-07-01
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现行
译：SJ/T 12070-2025 Semiconductor Devices, Discrete Devices, Reliability Test Method for Silicon Carbide Diodes
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-12-19 | 实施时间： 2026-07-01
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现行
译：SJ/T 12069-2025 Semiconductor Devices, Discrete Devices, Silicon Carbide Diode Electrical Parameter Test Method
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-12-19 | 实施时间： 2026-07-01
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现行
译：SJ/T 11845.3-2022 Low-frequency noise parameter-based reliability evaluation method for electronic components Part 3: Diodes. (English translation only)
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01
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现行
译：SJ/T 2215-2015 Semiconductor photoelectric coupler testing method
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L50/54光电子器件
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01
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现行
译：JB/T 8949.2-2013 JB/T 8949.2-2013 Ordinary Rectifier Tubes Part 2: Flat Devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01
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现行
译：JB/T 8949.1-2013 JB/T 8949.1-2013 General Rectifier Diodes Part 1: Bolted Devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01
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现行
译：JB/T 7624-2013 Test Methods for Rectifier Diodes JB/T 7624-2013
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01
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现行
译：SJ/T 10031-1991 Detail specification for electronic component--Currect regulator diodes,Type 2DH1-14
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1991-04-08 | 实施时间： 1991-07-01
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