适用范围：本文件规定了流化床法颗粒硅的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅(以下简称颗粒硅)。

适用范围：本文件规定了硅外延用三氯氢硅（SiHCl 3）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅（以下简称产品）。

适用范围：范围:本文件适用于8in～12in干法蚀刻28 nm以下（含28 nm）制程工艺; 主要技术内容:本文件规定了半导体用硅环的术语和定义、生产加工、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、贮存和运输方面的内容

适用范围：范围:本文件适用于将由直拉法制备的单硅晶加工成方形硅片,制成太阳能电池衬底片的单硅晶片 (以下简称硅片)，客户有特殊要求时，按合同约定; 主要技术内容:本文件规定了太阳能电池用单晶硅片的术语和定义、分类与编码(牌号)、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存等

适用范围：主要技术内容:本文件规定了术语和定义、硅片技术要求、半导体硅片制作流程、试验方法、检验规格标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本文件适用于新能源半导体硅片材料技术

适用范围：本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。

适用范围：本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。

适用范围：本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了硅片切割废料回收硅的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以硅多晶锭和硅单晶锭切片过程产生的硅片切割废料为原料所生产的回收硅产品，主要用于配置合金、生产有机硅和制备碳化硅陶瓷等

适用范围：范围:本文件规定了金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法。 本文件适用于金刚石单晶抛光片位错密度的测试; 主要技术内容:本标准根据金刚石单晶的材料性能特点，并结合目前国内外其他单晶如蓝宝石位错密度的检测技术的研究水平，对金刚石单晶抛光片位错密度的测试原理、测量精度保障、测量步骤等内容做出了规定

适用范围：范围:本文件规定了利用双晶X 射线衍射仪测试金刚石单晶片摇摆曲线半高宽的方法。 本文件适用于高温高压法、化学气相沉积法和其它方法生长制备的金刚石单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样也适用于此方法; 主要技术内容:本标准根据金刚石单晶片的材料性能特点，并结合目前国内金刚石晶体质量检测技术的研究水平，对金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线的测试原理、测量精度保障、测量步骤等内容做出了规定。本标准主题章共分为11章，主要内容包括：范围、规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器与校准、测试样品、干扰因素、测试环境、测试程序、精密度、测试报告和附录

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 

适用范围：主要技术内容:本文件规定了300 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何参数、氧化诱生缺陷、表面质量、边缘轮廓等。试验方法包括导电类型、电阻率、电阻率变化、间隙氧含量、径向氧含量、碳含量、表面金属含量、体内金属（铁）含量、直径、晶向及晶向偏离度、厚度和总厚度变化、弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度、氧化诱生缺陷、表面质量、局部光散射体（微小颗粒沾污）和边缘轮廓测量的测量或检验方法。检验规则分为出厂检验和型式检验

适用范围：主要技术内容:本文件规定了硅部件用柱状多晶硅的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、和标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、原料、化学成分、物理性能、晶粒形态和夹杂物。试验方法包括化学成分分析方法、物理性能检验方法以及晶粒形态和夹杂物的检测方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定

适用范围：主要技术内容:本文件规定了200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何参数、氧化诱生缺陷、表面质量、边缘轮廓等。试验方法包括导电类型、电阻率、电阻率变化、间隙氧含量、径向氧含量、碳含量、表面金属含量、体内金属（铁）含量、直径晶向及晶向偏离度、厚度和总厚度变化、弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度、氧化诱生缺陷、表面质量、局部光散射体（微小颗粒沾污）和边缘轮廓测量的测量或检验方法。检验规则分为出厂检验和型式检验

适用范围：主要技术内容:本文件规定了图形化蓝宝石衬底的术语和定义、原材料、环境保护、人员和设备要求、工艺及装备、生产流程、成品要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和质量保证书。本文件适用于以图形化蓝宝石衬底片的生产技术规范

适用范围：主要技术内容:本文件规定了非接触式硅片传输装置的术语和定义、技术要求、方案、图纸、性能参数、使用说明书、检验要求、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于非接触式硅片传输装置技术规范

适用范围：主要技术内容:本文件规定了晶圆减薄划片技术的基本要求、工艺、质量要求、维护及安全。本文件适用于指导晶圆减薄划片，也可供生产企业在晶圆制造过程中应用减薄、划片技术时参照执行