适用范围：主要技术内容:本文件规定了发光二极管用蓝宝石衬底抛光片（以下简称蓝宝石衬底片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及质量承诺。本文件适用于氮化镓基发光二极管（LED）外延生长的，直径为 100 mm 的蓝宝石衬底片

适用范围：本文件界定了半导体单晶硅生长用石英坩埚的术语和定义，规定了规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存。 本文件适用于以高纯石英砂(成分：二氧化硅)为原料，采用电弧熔融法生产，用于半导体单晶硅生长的石英坩埚。

适用范围：本文件确立了半导体单晶硅生长用石英坩埚从业人员、生产设备、主要原辅材料、生产工艺、作业环境及产品质量管控的程序和总体原则。 本文件适用于半导体单晶硅生长用石英坩埚的生产过程。

适用范围：本文件规定了砷化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的，用于制备光电子、微电子等器件的砷化镓单晶，不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的砷化镓单晶。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了区熔锗锭绿色设计产品评价的评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法、评价流程。本文件适用于以锗精矿、再生锗原料等含锗原料生产的区熔锗锭的绿色设计产品评价

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电子级氯硅烷绿色设计产品评价的评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法和流程。本文件适用于以工业氯硅烷产品为原料，精制提纯而生产的电子级氯硅烷（包含电子级的三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、六氯乙硅烷）绿色设计产品的评价

适用范围：主要技术内容:本文件规定了氮化硅粉体绿色设计产品评价的评价要求、生命周期评价报告编制方法、评价方法和流程。本文件适用于直接氮化法生产的氮化硅粉体绿色设计产品的评价

适用范围：主要技术内容:本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片绿色设计产品评价的评价要求、生命周期评价报告编制方法、评价方法和流程。本文件适用于物理气相传输法生产的4H及6H碳化硅单晶抛光片绿色设计产品的评价

适用范围：范围:本文件适用于由有机原料、溶剂、适宜阻聚剂等组分合成经精制后可适用于氟化氩树脂制备用的单体; 主要技术内容:本文件规定了集成电路用氟化氩光刻胶单体 第1部分 液体甲基丙烯酸酯类的术语和定义、产品类型和结构特点、技术要求、分析检测方法、工艺要求、包装、贮存和运输等要求

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法; 主要技术内容:本文件充分借鉴了IEC 60747-8-4 Discrete Semiconductor devices - Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的内容，并结合了近几年科研人员在SiC MOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiC MOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiC MOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级

适用范围：本标准规定了水平法砷化镓单晶（以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容。 本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。

适用范围：范围:充电桩可以分为7个部分：充电桩壳体、充电枪外壳、插头、插座、断路器、接触器、电源模块外壳、充电桩用电缆，根据上述分部件具体又细分为结构部件、电气部件、电缆等。 本标准规定了充电桩材料的选择标准与性能要求,适用于本公司生产的交直流充电桩各部件材料的选择; 主要技术内容:充电桩可以分为7个部分：充电桩壳体、充电枪外壳、插头、插座、断路器、接触器、电源模块外壳、充电桩用电缆，根据上述分部件具体又细分为结构部件、电气部件、电缆等。本标准规定了充电桩材料的选择标准与性能要求,适用于本公司生产的交直流充电桩各部件材料的选择

适用范围：范围:本标准规定了交直流汽车充电桩主要元器件的术语和定义、技术要求、检测方法等。 本标准适用于本公司生产的交直流充电桩主控板、核心板、灯带控制板、灯带及各系列交流直流充电桩的成品检测。 本标准适用于中国电子装备技术开发协会成员单位; 主要技术内容:本标准规定了交直流汽车充电桩主要元器件的术语和定义、技术要求、检测方法等

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶必要的相关术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶; 主要技术内容:碳化硅材料是继第一代半导体材料(以硅为代表)和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表) 之后，在近十年发展起来的第三代新型半导体材料。其主要应用领域有LED固态照明、电力电子和微波射频器件。该材料具有宽禁带、高漂移速度、高击穿电场、高热导率、抗辐射等优良特性，在高温、高压、高频、高功率等电子应用领域和航天、军工、强辐射场等极端环境应用有着不可替代的优势。碳化硅材料已成为全球半导体产业的前沿和制高点，随着碳化硅产业的发展，产业链分工细化是必然的趋势， 会大量出现只专门加工碳化硅晶片的厂家，碳化硅单晶会单独交易，因此有必要单独制定碳化硅单晶标准

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法，表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。 本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片，抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm，厚度为300 μm~1000 μm; 主要技术内容:碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表，碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注。面向市场的快速普及，对碳化硅抛光片的质量提出更高要求，高品质的呼声越发高涨。因此，快速检测单晶碳化硅抛光片的微管密度和使用面的划痕、颗粒等表面缺陷，准确统计各类缺陷的数量和分布，是改善碳化硅抛光片品质、提高碳化硅抛光片产能的必要手段，确定一个准确可靠的碳化硅单晶片微管密度及表面质量检测方法和标准化检测机制，对于碳化硅单晶片的研发、生产和应用过程中产品表面质量的统一控制有重要的意义