T/CEMIA 023-2021 半导体单晶硅生长用石英坩埚
T/CEMIA 023-2021 Silicon single crystal growth quartz crucible
基本信息
本文件适用于以高纯石英砂(成分:二氧化硅)为原料,采用电弧熔融法生产,用于半导体单晶硅生长的石英坩埚。
发布历史
-
2021年07月
文前页预览
研制信息
- 起草单位:
- 内蒙古欧晶科技股份有限公司、锦州佑鑫石英科技有限公司、江西中昱新材料科技有限公司
- 起草人:
- 何文兵、陈曼、苏光都、杜兴林、李宗辉、王文庆、朱旦、李晓航、朱剑、徐晓军、王君伟、王慧、韩东、李秀英、钱宜刚、贾建亮、万鹏远、潘志华、杨军、周锐
- 出版信息:
- 页数:16页 | 字数:25 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS29045
CCSL.90
团体标准
T/CEMIA023—2021
半导体单晶硅生长用石英坩埚
Quartzcrucibleforsemiconductormonosilicongrowth
2021-07-15发布2021-12-25实施
中国电子材料行业协会发布
T/CEMIA023—2021
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由中国电子材料行业协会提出并归口
。
本文件主要起草单位内蒙古欧晶科技股份有限公司锦州佑鑫石英科技有限公司江西中昱新材
:、、
料科技有限公司
。
本文件参与起草单位宁波宝斯达坩埚保温制品有限公司常州裕能石英科技有限公司江阴龙源
:、、
石英制品有限公司江苏中天科技股份有限公司北京雅博石光照明器材有限公司隆基绿能科技股份
、、、
有限公司廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司湖南黎辉新材料科技有限公司中国建筑材料科学研究
、、、
总院有限公司
。
本文件主要起草人何文兵陈曼苏光都杜兴林李宗辉王文庆朱旦李晓航朱剑徐晓军
:、、、、、、、、、、
王君伟王慧韩东李秀英钱宜刚贾建亮万鹏远潘志华杨军周锐
、、、、、、、、、。
Ⅰ
T/CEMIA023—2021
半导体单晶硅生长用石英坩埚
1范围
本文件界定了半导体单晶硅生长用石英坩埚的术语和定义规定了规格尺寸技术要求试验方法
,、、、
检验规则标志包装运输储存
、、、、。
本文件适用于以高纯石英砂成分二氧化硅为原料采用电弧熔融法生产用于半导体单晶硅生
(:),,
长的石英坩埚
。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划
GB/T2828.11:(AQL)
石英玻璃化学成分分析方法
GB/T3284
石英玻璃术语
JC/T2205—2014
光伏单晶硅生长用石英坩埚
T/CEMIA004—2018
3术语和定义
界定的以及下列术语和定义适用于本文件
JC/T2205—2014、T/CEMIA004—2018。
31
.
微气泡microbubble
直径小于的气泡
0.5mm。
来源有修改
[:T/CEMIA004—2018,3.1,]
32
.
白斑vaporspots
目视可见的带有微小气泡的灰色乳白色粗糙或平滑的斑点
、、。
来源
[:T/CEMIA004—2018,3.2]
33
.
凸起bulge
高出石英坩埚内表面和外表面的点
。
来源
[:T/CEMIA004—2018,3.3]
34
.
圆度偏差circularitytolerance
石英坩埚圆柱体同一横截面上最大与最小直径之差
。
来源有修改
[:T/CEMIA004—2018,3.4,]
35
.
偏壁值sidingvalue
石英坩埚圆柱体同一横截面上最大与最小壁厚之差
。
来源
[:T/CEMIA004—2018,3.5]
1
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