T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
T/CASAS 006-2020 Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor generic technical specification
团体标准
中文(简体)
现行
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|
格式:PDF
基本信息
标准号
T/CASAS 006-2020
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2020-12-28
实施日期
2021-01-01
发布单位/组织
-
归口单位
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称“晶体管”)的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法;
主要技术内容:本文件充分借鉴了IEC 60747-8-4 Discrete Semiconductor devices - Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的内容,并结合了近几年科研人员在SiC MOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结,对SiC MOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定,但局限于当前科研人员对SiC MOSFET器件的认知,以及该产品生产与应用所处的发展阶段,可能还存在一些不足的地方,后续将根据研究进展不断进行完善和升级
发布历史
-
2020年12月
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研制信息
- 起草单位:
- 中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司
- 起草人:
- 许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬
- 出版信息:
- 页数:- | 字数:- | 开本: -
内容描述
暂无内容
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