适用范围：范围:本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片; 主要技术内容:近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。?与传统硅基晶圆类似，碳化硅晶圆的制造工艺中也会产生残余应力，过大的残余应力除了会造成晶圆翘曲、断裂等失效问题外，还会因压阻效应影响碳化硅晶圆电性能，因此，精确测量制造工艺过程中SiC晶圆的残余应力，对于提高产品良率和电性能，具有重要的意义

适用范围：范围:本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。 本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。 本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032 Ω/到3000Ω/的范围; 主要技术内容:碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡量碳化硅单晶片质量好坏的关键参数之一， 关于导电碳化硅单晶片电阻率非接触涡流测试方法，国内都没有统一的标准，也没有形成统一的行业标准或地方标准，因此本标准的制定， 将填补国内导电碳化硅半导体材料在技术领域的标准空白。本标准的实施将为导电碳化硅单晶生长企业的销售及用户选择合适的产品提供依据，并将规范我国导电碳化硅半导体材料产业，从而促进该产业的健康有序发展，进而将提升我国碳化硅半导体企业在国际市场上的影响力

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。 本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片; 主要技术内容:随着SiC产业的发展，获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，且无晶向偏差。因为即使表面存在微小缺陷，都会破坏晶体材料的表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响器件的电学性能。现行的测试方法主要是在漫反射条件下依据目测观察，而SiC单晶抛光片的表面存在着颗粒、划痕、凹坑等缺陷，依靠人为目测，会存在较大误差。本标准采用先进仪器，客观的表征SiC单晶抛光片表面的划痕、颗粒、凹坑等缺陷

适用范围：范围:本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。 本标准适用于硅半导体器件以及宽禁带半导体器件; 主要技术内容:高温高湿反偏测试是考核器件在高温高湿偏压条件下的耐久性的一项可靠性试验，其主要的失效机理为与湿度相关的腐蚀、电化学效应引起的阻断能力下降、漏电升高。通常情况下，该项测试采用的阻断电压较低，如 AEC-Q101中规定偏置电压不超过100V。采用较低偏置电压的原因在于行业内普遍认为，阻断电压过高引起的较大的漏电流会导致器件的自加热，影响湿气进入封装内部。然而，近几年的研究成果及在实际使用过程中发现，功率器件在高温高湿环境下承受高偏压时失效率明显要更高，现有测试方法已不再满足器件高温高湿耐久性的验证需求。同时，高温高湿反偏测试涉及到温度、湿度、偏压三种应力，而这三种应力的施加方式在AEC-Q101中并未进行详细规定。本项目通过深入研究高温高湿反偏测试中，不同封装器件抵御湿气进入的能力，以及施加高电压对于测试方法的影响，对检测方法和要求进行更具针对性和更为详尽的规定和说明，从而建立一套更为严谨的用以评价非气密封装的功率半导体器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性的检测标准

适用范围：范围:本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。 本标准适用于电阻率测量范围: 105Ω?cm-1012Ω?cm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm的衬底; 主要技术内容:SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚的优势，特别在高温、高频、强磁场、抗辐射等方面显示出独特的优势。高纯半绝缘SiC衬底在通信领域有大量应用，同时，高纯半绝缘SiC衬底作为GaN HEMT微波功率器件的关键衬底材料，具有重要的军事意义。随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。高纯半绝缘SiC衬底电阻率的大小及分布的均匀性是影响器件质量的关键参数。因此，准确测量SiC衬底电阻率，对改进衬底制备工艺及器件电学性能具有重要的意义。研究高纯半绝缘SiC电阻率非接触测量方法，统一行业内测试标准，对SiC相关行业之间交流及发展具有重大推动作用

适用范围：主要技术内容:范围规范性引用文件术语和定义产品命名规则技术要求试验方法检验规则标志、包装、运输、贮存统一眩光值的限值附录A（资料性附录） 教室的统一眩光值UGR测量报告模板本标准规定了固化用紫外线LED封装的定义、命名规则、技术要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存的要求。本标准适用于丝印、胶印工艺印刷机固化用的紫外线LED封装

适用范围：主要技术内容:本标准规定了单晶硅光伏电池（以下简称电池）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标识、储存和运输、质量承诺。本标准适用于以P型为衬底材料的地面用单面发射极和背面钝化（ Passivated Emitterand Rear Cell，简称PERC） 单晶硅光伏电池

适用范围：本标准规定了聚烯怪基导电材料包覆金属导体规格、 技术要求、 检测与试验方法、 标志、 包装、运输及贮存等。 本标准适用于交直流输电系统的接地装置。 石油化工、 国防等领域的接地装置可参照执行

适用范围：主要技术内容:目    次前    言I1   范围12   规范性引用文件13   术语和定义24   评价方法35   评价要求36   产品生命周期评价报告编制方法6前    言本标准按照GB/T 2004.1-2016《团体标准化 第1部分：良好行为指南》制定。本标准按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。本标准由清华大学深圳研究生院提出。本标准由广东省光电技术协会归口。本标准主要起草单位：清华大学深圳研究生院、惠州市聚飞光电有限公司、厦门乾照光电股份有限公司、深圳市启悦光电有限公司、华南师范大学、中山市木林森电子有限公司、深圳市晶锐光电有限公司、深圳市同一方光电技术有限公司、广东海洋大学、郑州唯独电子科技有限公司、广东农工商职业技术学院、广东光阳电器有限公司、西安理工大学本标准主要起草人：钱可元、邢美正、魏冬寒、汪洋、单其林、康丽娟、杨冲、李立勉、杨帆、熊正烨、 刘玉怀、官金兰、马国书、柯熙政本文件为首次发布。绿色设计产品评价技术规范 发光二极管封装产品1   范围本标准规定了发光二极管封装产品及其绿色设计的评价要求和评价方法，以及产品生命周期评价报告的编制要求。本标准适用于采用半导体LED芯片封装的发光二极管封装产品，包括但不限于白光发光二极管封装产品、单色光（蓝色、绿色、黄色、橙色、红色等）发光二极管封装产品、彩色光发光二极管封装产品（由红色、绿色、蓝色中两种或三种LED芯片组成）、紫外光发光二极管封装产品、红外光发光二极管封装产品、COB封装产品等。2   规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范SJ/T 11364 电子电气产品有害物质限制使用标识要求GB/T 16716.1 包装与包装废弃物 第1部分：处理和利用通则GB/T 18455 包装回收标志GB/T 19001 质量管理体系 要求GB/T 20861 废弃产品回收利用术语GB/T 23384 产品及零部件可回收利用标识GB/T 2423.28 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验T：锡焊GB/T 24001 环境管理体系 规范及使用指南GB/T 240

适用范围：本标准规定了太阳能电池用多晶硅片（以下简称硅片）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片（包括类单晶硅片）。

适用范围：本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容。 本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块（以下简称硅块）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块）。

适用范围：本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。

适用范围：本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。本标准适用于标称直径100 mm～200 mm的硅片，也适用于其他半导体材料晶片。

适用范围：本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序。本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了多晶硅绿色设计产品评价的术语和定义、评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法、评价流程。本标准适用于改良西门子法生产的多晶硅的绿色设计产品评价

适用范围：主要技术内容:本标准规定了气相沉积法碳化硅涂层（以下简称碳化硅涂层）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于以甲基三氯硅烷和氢气为主要原料，通过气相沉积法制备的碳化硅涂层。产品主要用于光伏领域石墨材料表面

适用范围：主要技术内容:本标准规定了气相二氧化硅绿色设计产品评价的术语和定义、评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法、评价流程。本标准适用于气相二氧化硅的绿色设计产品评价

适用范围：本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照执行。

适用范围：本标准规定了氮化镓外延片（以下简称外延片）及氮化镓衬底片（以下简称衬底片）的通用规范，包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光电器件，以及微波与电力电子功率器件。