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T/CIET 1271-2025 碳化硅外延片制备技术规范 化学气相沉积法（CVD）

T/CIET 1271-2025 Silicon carbide epitaxial wafer preparation specification: Chemical vapor deposition (CVD) method

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CIET 1271-2025
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
-
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2025-05-08
实施日期
2025-05-08
发布单位/组织
-
归口单位
中国国际经济技术合作促进会
适用范围
范围:本文件规定了化学气相沉积法制备4H碳化硅（SiC）外延片的基本要求、制备流程、质量保证、安全要求。 本文件适用于化学气相沉积法制备4H-SiC外延片的生产与检验; 主要技术内容:本文件规定了化学气相沉积法制备4H碳化硅（SiC）外延片的基本要求、制备流程、质量保证、安全要求。本文件适用于化学气相沉积法制备4H-SiC外延片的生产与检验

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研制信息

起草单位：
广东天域半导体股份有限公司、南京百识电子科技有限公司、蓝河科技（绍兴）有限公司、深圳市纳设智能装备股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、扬帆半导体（江苏）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司
起草人：
刘薇、丁雄杰、胡智威、徐春阳、陈炳安、张志勤、黄朝辉、孔令沂、党帅、邢志刚、钟国仿、吴会旺、郑圣君、林云昊、林宝仪、黄善文、尹宝堂、肖蕴章、张国良、尹炯豪、刘岩、吴永利、汪贤峰、冀云、徐敬铭、包瑾、张桢
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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