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T/CIET 1279-2025 碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT）

T/CIET 1279-2025 Silicon carbide single crystal growth technology specification: Physical vapor transport method (PVT)

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CIET 1279-2025
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
-
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2025-05-14
实施日期
2025-05-14
发布单位/组织
-
归口单位
中国国际经济技术合作促进会
适用范围
范围:本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。 本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等

发布历史

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研制信息

起草单位：
眉山博雅新材料股份有限公司、苏州清橙半导体科技有限公司、山西烁科晶体有限公司、江苏超芯星半导体有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司
起草人：
王宇、陈鹏飞、侯晓蕊、袁振洲、袁丽、雷沛、顾鹏、刘西洋、陈颖超、刘岩、吴永利、汪贤峰、冀云、徐敬铭、包瑾、祝焕新
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

暂无内容

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