适用范围：本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。

适用范围：本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。

适用范围：本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 

适用范围：本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。本文件适用于p直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200 mm～450 mm的硅电极及硅环。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、 125 mm、 150 mm的硅单晶研磨片

适用范围：本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。

适用范围：本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。

适用范围：本文件规定了硅单晶退火片（以下简称退火片）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180 nm～22 nm的集成电路。

适用范围：本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了继电保护屏的防火封堵材料选型的术语和定义、材料选型总体要求、材料分类与标记、性能要求等内容。本文件适用于在建筑物、构筑物以及各类设施中的各种贯穿孔洞、构造缝隙所使用的防火封堵材料或防火封堵组件。不适用于建筑配件内部使用的防火膨胀密封件和硬聚氯乙烯建筑排水管道阻火圈

适用范围：本文件适用于以高纯二氧化锗为原料经氢气还原后，研磨、筛分生产的高纯锗粉。

适用范围：本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定光伏硅材料中氧含量的方法。 本文件适用于生产多晶硅的原料硅粉、工业硅、颗粒多晶硅等光伏硅材料中氧含量的测定，测定范围为氧的质量分数0.0010%～0.40%。其他生产光伏组件的各类晶体硅材料参照使用。

适用范围：本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定颗粒硅中氢含量的方法。 本文件适用于流化床法颗粒硅中氢含量的测定，其他硅材料参照使用。 注： 本文件测定氢含量的范围取决于所用氢分析仪的量程，最大测定范围为氢量0.000 08 mg～2.5 mg。以质量分数（%）表示的氢分析仪的测定范围因称取样品量的不同而不同。例如，1 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 008%～0.25%；0.15 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 06%～1.66%。

适用范围：范围:本文件规定了单晶硅太阳能电池片（以下简称电池片）等级划分、类别及型号命名、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于以单晶硅片为主要原材料的地面用单晶硅太阳能电池片; 主要技术内容:7  要求7.1  电池片尺寸电池片的尺寸要求见表2。7.2  外观7.2.1  电池片正面外观应栅线图形完整、清晰，不允许有明显偏移、缺损。不应有氧化变色现象，保证具有良好的可焊性。其他要求见表3。7.2.2  电池片背面外观应电极图形应完整、电极附着强度满足设计要求，电极应无虚印，无铝珠，无铝刺，无脱落，浆料不能接触到电池片边缘。具体要求见表3。7.3  机械性能7.3.1  翘曲度一般情况下，电池的弯曲变形用电池的翘曲度来衡量，见表4。7.3.2  电极与焊点拉力强度电极附着应牢固，焊接后，电极与焊点应结合牢固，检测方法应符合GB/T 29195规定，测试到的拉力最小值为2.00 N/mm[除虚焊,过焊外, 180°测试稳定值的平均值]。7.3.3  电池片不应存在裂纹、隐裂、穿孔及V型缺口。大小角及崩边等缺陷规定见表4。7.4  电性能7.4.1  电性能参数电池电性能参数包括但不仅限于开路电压、短路电流、 填充因子、 最大功率、 转换效率、 低辐照度性能。电性能参数应符合相关产品详细规范的规定。7.4.2  双面电池片双面率多栅线双面电池其双面率应符合表5规定。7.4.3  电池片单片功率、平均值、逆电流、并联电阻、电池效率、光衰减规定应符合表5规定。7.5  电池片EL特性7.5.1  电池片EL特性测试，其中A级及透明组件图谱中不应出现黑芯、裂片。7.5.2  电池片EL特性测试，晶界痕、麻点、平行或垂直于主栅的黑线等不应超过封样。7.5.3  电池片EL特性测试，其他缺陷要求见表6。7.6  可靠性7.6.1  耐候可靠性按照IEC 61215-2，156.75 mm×156.75 mm型、166 mm×166 mm型、167.3 mm×167.3 mm型电池片做成组件后经过热循环，湿热循环，湿冻循环后无因电池片引起的不良，电性能衰减≤2%；210 mm×210 mm型电池片做成组件后经过热循环，湿热循环，热斑反向测试，动载及静载测试后无因电池片引起的不良，电性能衰减≤2%，扩展到TC400，DH2000h，衰减≤3%。7.6.2  抗 PI

适用范围：范围:本文件规定了双（三氟甲磺酰）亚胺锂的检测要求，包括双（三氟甲磺酰）亚胺锂的试验方法、 检验规则及测定结果处理。 本文件适用于以三氟甲磺酰氟、氨气、硫酸、碳酸锂为原料生产的的双（三氟甲磺酰）亚胺锂 的测定，其它工艺生产的双（三氟甲磺酰）亚胺锂可参考执行; 主要技术内容:水分含量的测定硫酸根含量的测定氯离子含量的测定氟离子含量的测定铝、钡、钙、铬、铜、镁、钠、镉、铁、钾、镍、银、硼及铅的测定pH 值的测定色度的测定浊度的测定游离酸（以 HF 计）的测定透过率的测定

适用范围：主要技术内容:本文件规定了发光二极管用蓝宝石衬底抛光片（以下简称蓝宝石衬底片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及质量承诺。本文件适用于氮化镓基发光二极管（LED）外延生长的，直径为 100 mm 的蓝宝石衬底片