适用范围：本文件规定了砷化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的，用于制备光电子、微电子等器件的砷化镓单晶，不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的砷化镓单晶。

适用范围：本标准规定了回收碲原料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存、质量预报单和订货单(或合同）内容。 本标准适用于回收碲原料（以下简称原料）的综合回收利用及贸易。

适用范围：本标准规定了回收硒原料的术语和定义、分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量预报单及订货单（或合同）内容。 本标准适用于硒原料（以下简称原料）的回收处置利用及贸易。

适用范围：本标准规定了水平法砷化镓单晶（以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容。 本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶必要的相关术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶; 主要技术内容:碳化硅材料是继第一代半导体材料(以硅为代表)和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表) 之后，在近十年发展起来的第三代新型半导体材料。其主要应用领域有LED固态照明、电力电子和微波射频器件。该材料具有宽禁带、高漂移速度、高击穿电场、高热导率、抗辐射等优良特性，在高温、高压、高频、高功率等电子应用领域和航天、军工、强辐射场等极端环境应用有着不可替代的优势。碳化硅材料已成为全球半导体产业的前沿和制高点，随着碳化硅产业的发展，产业链分工细化是必然的趋势， 会大量出现只专门加工碳化硅晶片的厂家，碳化硅单晶会单独交易，因此有必要单独制定碳化硅单晶标准

适用范围：范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法，表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。 本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片，抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm，厚度为300 μm~1000 μm; 主要技术内容:碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表，碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注。面向市场的快速普及，对碳化硅抛光片的质量提出更高要求，高品质的呼声越发高涨。因此，快速检测单晶碳化硅抛光片的微管密度和使用面的划痕、颗粒等表面缺陷，准确统计各类缺陷的数量和分布，是改善碳化硅抛光片品质、提高碳化硅抛光片产能的必要手段，确定一个准确可靠的碳化硅单晶片微管密度及表面质量检测方法和标准化检测机制，对于碳化硅单晶片的研发、生产和应用过程中产品表面质量的统一控制有重要的意义

适用范围：主要技术内容:本标准规定了单晶硅光伏电池（以下简称电池）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标识、储存和运输、质量承诺。本标准适用于以P型为衬底材料的地面用单面发射极和背面钝化（ Passivated Emitterand Rear Cell，简称PERC） 单晶硅光伏电池

适用范围：主要技术内容:表1特征指标项目硒籼米硒粳米硒籼米富硒籼米硒粳米富硒粳米硒含量/（mg/kg）≥0.090；＜0.180≥0.180≥0.090；＜0.180≥0.1806.3质量指标产品质量指标应符合表2的规定。其中碎米（总量及其中小碎米含量）、加工精度、垩白度、品尝评分值为定等指标。表2质量指标项目硒籼米硒粳米等级一级二级三级一级二级三级碎米总量/%          ≤10.012.515.05.07.510.0其中小碎米/%    ≤0.20.51.00.10.30.5加工精度精碾精碾适碾精碾精碾适碾垩白度/%              ≤2.05.08.02.04.06.0表2（续）项目硒籼米硒粳米等级一级二级三级一级二级三级品尝评分值/分         ≥908070908070直链淀粉含量/%        ≤13.0～22.013.0～20.0水分含量/%            ≤14.515.5不完善粒含量/%        ≤3.0杂质总量/%          ≤0.25其中无机杂质/%  ≤0.02黄粒米含量/%          ≤0.5互混率/%              ≤5.0色泽、气味正常

适用范围：本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容。 本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用多晶硅片（以下简称硅片）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片（包括类单晶硅片）。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块（以下简称硅块）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块）。

适用范围：本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。

适用范围：本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。本标准适用于标称直径100 mm～200 mm的硅片，也适用于其他半导体材料晶片。

适用范围：本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序。本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了多晶硅生产用石墨制品的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于太阳能级多晶硅生产还原炉用石墨制品

适用范围：主要技术内容:铬铁矿中成分的测定包括原理、试验材料、分析步骤、计算、报告等

适用范围：本标准规定了贵金属熔炼渣回收氯氧化铋中金、银含量的测定方法。 本标准适用于贵金属熔炼渣回收氯氧化铋中金、银含量的测定。 测定范围：金：1.00 g/t～100.00 g/t；银：50.0 g/t～3000.0 g/t。

适用范围：本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照执行。

适用范围：本标准规定了氮化镓外延片（以下简称外延片）及氮化镓衬底片（以下简称衬底片）的通用规范，包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光电器件，以及微波与电力电子功率器件。