适用范围：主要技术内容:本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为：1×1014cm-3～5×1017cm-3。本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量

适用范围：本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。

适用范围：本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范，包括标志的形状和尺寸、字母数字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。注： 字母数字标志及关联信息存入数据库，可被简单的自动光学字符读数（OCR）仪或人工进行独立、快速识别，确保晶片制造商对晶片标记的一致性。

适用范围：本标准规定了多晶硅生产用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于多晶硅生产用硅粉。

适用范围：本标准规定了粗硒的要求、试验方法、检验规则、包装、贮存、质量证明书及订货单（或合同）等内容。 本标准适用于从铜、铅电解阳极泥中提取的粗硒。本产品主要用于精硒、二氧化硒生产的原料。

适用范围：本标准规定了有机硅用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）的内容。 本标准适用于以工业硅为原料机械加工而成、用于有机硅生产的硅粉（以下简称硅粉）。

适用范围：本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。

适用范围：本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁（Fe）、铬（Cr）、镍（Ni）、铜（Cu）、锌（Zn）、硼（B）、磷（P）、钙（Ca）、钠（Na）、镁（Mg）、铝（Al）、砷（As）、钪（Sc）、钛（Ti）、钒（V）、锰（Mn）、钴（Co）、镓（Ga）等元素的测定范围为5 μg/kg～50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料，例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。

适用范围：本标准规定了利用感应炉燃烧后红外吸收法测定硅粉中总碳含量的方法。 本标准适用于生产多晶硅的原料硅粉中总碳含量的测定。测定范围为0.001%～1.0%（质量分数）。

适用范围：本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容等。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。

适用范围：本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片的订货单格式，其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。

适用范围：本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP—MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。