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T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法

T/IAWBS 003-2017 Carrier concentration measurement of silicon carbide epitaxial layer using mercury probe capacitance-voltage method

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/IAWBS 003-2017
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80/84 半金属与半导体材料
国际标准分类号（ICS）
29.045 半导体材料
发布日期
2017-12-20
实施日期
2017-12-31
发布单位/组织
-
归口单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
适用范围
主要技术内容:本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为：1×1014cm-3～5×1017cm-3。本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量

发布历史

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研制信息

起草单位：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所
起草人：
冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

暂无内容

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