国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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废止
译：SJ/T 11493-2015 The method of secondary ion mass spectrometry for measuring the nitrogen concentration in a silicon substrate【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏 -
现行
译：SJ/T 11503-2015 The method for testing the surface roughness of a single-crystal silicon carbide polishing slice【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 11487-2015 Non-contact method for measuring the resistivity of semi-insulating semiconductor wafers【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 11489-2015 The measurement method for the low-dislocation density indium phosphide polished surface pit density【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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废止
译：YS/T 1061-2015 Silicon core for polysilicon by improved siemens method适用范围：本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于以多晶硅为原料，通过直拉法（CZ）生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 11504-2015 The testing method for surface quality of silicon carbide single crystal polishing wafers【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 11498-2015 The secondary ion mass spectrometry measurement method for oxygen concentration in heavily doped silicon substrate【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 11501-2015 SJ/T 11501-2015 Test method for crystal morphology of silicon carbide single crystal【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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废止
译：YS/T 28-2015 Package of silicon wafers适用范围：本标准规定了硅片的包装。 本标准适用于硅单晶抛光片、外延片、SOI等硅片的洁净包装、硅单晶研磨片(简称硅研磨片)包装和太阳能电池用硅片包装使其在运输、贮存过程中避免再次沾污和破碎。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 11490-2015 The measurement method for the pit density of polished gallium arsenide wafers with low dislocation density【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 11488-2015 Resistivity, Hall coefficient, and mobility testing methods for semi-insulating gallium arsenide【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：YS/T 13-2015 High pure germanium tetrachloride适用范围：本标准规定了高纯四氯化锗的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以粗四氯化锗为原料经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用作石英光导纤维的掺杂剂及高纯二氧化锗的制备。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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废止
译：SJ/T 11499-2015 The testing methods for the electrical properties of silicon carbide single crystal【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 11491-2015 Short-baseline infrared absorption spectroscopy method for measuring silicon interstitial oxygen content【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 11494-2015 The method for testing the photoluminescence of impurities in silicon single crystal belonging to the III-V group【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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被代替
译：GB/T 12963-2014 Electronic-grade polycrystalline silicon适用范围：本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-31 | 实施时间： 2015-09-01收藏
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被代替
译：GB/T 30652-2014 Trichlorosilane for silicon epitaxial适用范围：本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单 (或合同)内容。 本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅（以下简称产品）。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-31 | 实施时间： 2015-09-01收藏
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现行
译：GB/T 13389-2014 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon适用范围：本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-31 | 实施时间： 2015-09-01收藏
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被代替
译：GB/T 30656-2014 Polished monocrystalline silicon carbide wafers适用范围：本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-31 | 实施时间： 2015-09-01收藏
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被代替
译：GB/T 31092-2014 Monocrystalline sapphire ingot适用范围：本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单（或合同）内容。 本标准适用于蓝宝石单晶晶锭，产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料（以下简称晶锭）。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2014-12-22 | 实施时间： 2015-09-01收藏
废止
现行
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现行
废止
现行
现行
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废止
现行
现行
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废止
现行
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被代替
被代替
现行
被代替
被代替