T/CI 609-2024 碳化硅衬底研磨抛光工艺技术规范
T/CI 609-2024 Silicon Carbide Substrate Grinding and Polishing Process Specification
团体标准
中文(简体)
现行
页数:0页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
T/CI 609-2024
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2024-11-25
实施日期
2024-11-25
发布单位/组织
-
归口单位
中国国际科技促进会
适用范围
范围:本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等。
本文件适用于碳化硅衬底研磨抛光加工;
主要技术内容:本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等
发布历史
-
2024年11月
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研制信息
- 起草单位:
- 湖南宇晶机器股份有限公司、眉山博雅新材料股份有限公司、扬帆半导体(江苏)有限公司、江苏京创先进电子科技有限公司、西湖仪器(杭州)技术有限公司、山西烁科晶体有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、广东聚芯半导体材料有限公司、杭州众硅电子科技有限公司、厦门中芯晶研半导体有限公司
- 起草人:
- 杨佳葳、王宇、黄朝辉、杨云龙、刘东立、侯晓蕊、赵丽丽、张佳奇、GU HAIYANG(顾海洋)、陈基生、顾鹏、龚涛、张晓洪、李斌、高阳、段树国、郭伟、邓耀敏、殷祥凯、孙志超、刘西洋、袁丽、雷沛、俞小英
- 出版信息:
- 页数:- | 字数:- | 开本: -
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