T/CI 609-2024 碳化硅衬底研磨抛光工艺技术规范

T/CI 609-2024 Silicon Carbide Substrate Grinding and Polishing Process Specification

团体标准 中文(简体) 现行 页数:0页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
T/CI 609-2024
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2024-11-25
实施日期
2024-11-25
发布单位/组织
-
归口单位
中国国际科技促进会
适用范围
范围:本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等。 本文件适用于碳化硅衬底研磨抛光加工; 主要技术内容:本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等

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研制信息

起草单位:
湖南宇晶机器股份有限公司、眉山博雅新材料股份有限公司、扬帆半导体(江苏)有限公司、江苏京创先进电子科技有限公司、西湖仪器(杭州)技术有限公司、山西烁科晶体有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、广东聚芯半导体材料有限公司、杭州众硅电子科技有限公司、厦门中芯晶研半导体有限公司
起草人:
杨佳葳、王宇、黄朝辉、杨云龙、刘东立、侯晓蕊、赵丽丽、张佳奇、GU HAIYANG(顾海洋)、陈基生、顾鹏、龚涛、张晓洪、李斌、高阳、段树国、郭伟、邓耀敏、殷祥凯、孙志超、刘西洋、袁丽、雷沛、俞小英
出版信息:
页数:- | 字数:- | 开本: -

内容描述

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