国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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即将实施
译：GB/T 47080-2026 Test method for dislocation density of diamond single crystal polished wafer适用范围：本文件描述了用干法刻蚀结合显微计数测试立方金刚石单晶抛光片位错密度的方法。 本文件适用于{100}、{110}或{111}晶面立方金刚石单晶抛光片位错密度范围为5×103个/cm2~5×107个/cm2的测试。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-01-28 | 实施时间： 2026-08-01收藏 -
即将实施
译：GB/T 47089-2026 Test method for determining geometrical parameters of patterns on patterned sapphire substrate适用范围：本文件描述了蓝宝石图形化衬底表面图形几何参数的测定方法。 本文件适用于蓝宝石图形化衬底表面单个图形和图形阵列几何参数的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-01-28 | 实施时间： 2026-08-01收藏
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即将实施
译：GB/T 47081-2026 Determination of iron,aluminum and calcium of silicon nitride powder—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometry适用范围：本文件描述了氮化硅粉体中铁、铝、钙含量的电感耦合等离子体发射光谱测定方法。 本文件适用于氮化硅粉体中铁、铝、钙含量的测定，测定范围为0.001 mg/g~4.00 mg/g。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-01-28 | 实施时间： 2026-08-01收藏
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即将实施
译：GB/T 47082-2026 Test method for stacking faults of polished monocrystalline silicon carbide wafers适用范围：本文件描述了碳化硅(SiC)单晶抛光片堆垛层错的光致发光测试方法。 本文件适用于4H碳化硅(4H-SiC)单晶抛光片堆垛层错的测试。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-01-28 | 实施时间： 2026-08-01收藏
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现行
译：GB/T 4326-2025 Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient适用范围：本文件描述了非本征半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量方法。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-10-31 | 实施时间： 2026-05-01收藏
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现行
译：GB/T 11073-2025 Test method for measuring radial resistivity variation on silicon wafers适用范围：本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、室温电阻率在3×10-4 Ω·cm～1.8×104 Ω·cm的p型硅单晶片及室温电阻率在6×10-3 Ω·cm～1×105 Ω·cm的n型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-10-31 | 实施时间： 2026-05-01收藏
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译：GB/T 29056-2025 Determination of impurity content in trichlorosilane for silicon epitaxy—Inductively coupled plasma mass spectrometry适用范围：本文件描述了硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素的电感耦合等离子体质谱仪测定方法。 本文件适用于硅外延用三氯氢硅中杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-10-31 | 实施时间： 2026-05-01收藏
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现行
译：GB/T 14140-2025 Test method for measuring diameter of semiconductor wafer适用范围：本文件描述了用轮廓仪法、千分尺法和游标卡尺法测试半导体晶片直径的方法。 本文件适用于圆形半导体晶片直径的测试，测试范围为标称直径不大于300 mm。本文件不适用于测试晶片的不圆度。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-08-01 | 实施时间： 2026-02-01收藏
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译：YS/T 1740-2025 Electron-grade trichlorosilane chemical vapor deposition evaluation method【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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译：YS/T 1754-2025【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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译：YS/T 526-2025 Nickel boron silicon self-fluxing alloy powder【国际标准分类号(ICS)】 ：77.160粉末冶金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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译：YS/T 1768-2025 Determination of Surface Impurity Content of Graphite Products Used for Silicon Polycrystalline Production by Inductively Coupled Plasma Spectroscopy【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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译：YS/T 1755-2025 Determination of Total Metal Impurity Content in Granular Silicon by Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry (ICP-MS)【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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现行
译：YS/T 1747-2025 Determination of hydrogen content in silicon materials using inert gas fusion thermometry【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
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现行
译：YS/T 983-2024适用范围：本文件适用于三氯氢硅法生产硅多晶还原炉尾气成分的测定【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2024-10-24 | 实施时间： 2025-05-01收藏
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现行
译：YS/T 981.1-2024 YS/T 981.1-2024 Chemical analysis methods for high purity indium Part 1: Determination of trace impurity element content by glow discharge mass spectrometry适用范围：本文件适用于高纯铟中痕量杂质元素含量的测定【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2024-10-24 | 实施时间： 2025-05-01收藏
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译：YS/T 1703-2024 Test of surface particles on chip packaging trays for counting liquid particles in YS/T 1703-2024适用范围：本文件适用于直径100mm、125mm、150mm、200mm、300mm的硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他材质的半导体晶片包装片盒颗粒洁净度的测试【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2024-10-24 | 实施时间： 2025-05-01收藏
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现行
译：GB/T 1558-2023 Test method for substitutional carbon content in silicon by infrared absorption适用范围：本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。 本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-12-28 | 实施时间： 2024-07-01收藏
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译：YS/T 1654-2023 The method of chemical analysis for the determination of trace impurity element content using glow discharge mass spectrometry for nitrogen-doped gallium chemical analysis适用范围：本文件适用于氮化镓中杂质元素含量的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-12-20 | 实施时间： 2024-07-01收藏
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译：GB/T 24582-2023 Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline silicon—Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method适用范围：本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01 ng/g。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
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