• YS/T 1863.1-2026 硅多晶用硅粉理化性能的测定 第 1 部分:有效硅含量的测定 重量法 即将实施
    译:YS/T 1863.1-2026
    适用范围:本文件描述了重量法测定硅多晶用硅粉有效硅含量的方法。本文件适用于硅多晶用硅粉有效硅含量的测定,测定范围为 1.00% ~ 100.00%
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2026-04-15 | 实施时间: 2026-11-01
  • YS/T 1864-2026 流化床法颗粒硅表面金属含量的测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 即将实施
    译:YS/T 1864-2026 Fluidized bed method for determination of metal content on particle silicon surface - Acid leaching-inductively coupled plasma mass spectrometry method
    适用范围:本文件描述了电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS )测定流化床法颗粒硅表面金属杂质元素含量的方法。本文件适用于流化床法颗粒硅表面金属杂质元素如铁、铬、镍、铜、钠、镁、铝、钾、钙、锌、钛、钼、钨、钴、锰等含量的测定,各元素测定范围为 0.05ng/g ~ 1000ng/g
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2026-04-15 | 实施时间: 2026-11-01
  • YS/T 1863.2-2026 硅多晶用硅粉理化性能的测定 第 2 部分: 浊度的测定 散射光法 即将实施
    译:YS/T 1863.2-2026 Determination of Chemical Properties of Silicon Powder for Polycrystalline Silicon Part 2: Determination of Turbidity by Scattering Light Method
    适用范围:本文件描述了散射光法测定硅多晶用硅粉浊度的方法。本文件适用于硅多晶用硅粉浊度的测定, 测定范围为1NTU ~ 1000NTU
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2026-04-15 | 实施时间: 2026-11-01
  • GB/T 47080-2026 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法 现行
    译:GB/T 47080-2026 Test method for dislocation density of diamond single crystal polished wafer
    适用范围:本文件描述了用干法刻蚀结合显微计数测试立方金刚石单晶抛光片位错密度的方法。 本文件适用于{100}、{110}或{111}晶面立方金刚石单晶抛光片位错密度范围为5×103个/cm2~5×107个/cm2的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01
  • GB/T 47089-2026 蓝宝石图形化衬底表面图形几何参数的测定方法 现行
    译:GB/T 47089-2026 Test method for determining geometrical parameters of patterns on patterned sapphire substrate
    适用范围:本文件描述了蓝宝石图形化衬底表面图形几何参数的测定方法。 本文件适用于蓝宝石图形化衬底表面单个图形和图形阵列几何参数的测定。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01
  • GB/T 47081-2026 氮化硅粉体中铁、铝、钙含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 现行
    译:GB/T 47081-2026 Determination of iron,aluminum and calcium of silicon nitride powder—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometry
    适用范围:本文件描述了氮化硅粉体中铁、铝、钙含量的电感耦合等离子体发射光谱测定方法。 本文件适用于氮化硅粉体中铁、铝、钙含量的测定,测定范围为0.001 mg/g~4.00 mg/g。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01
  • GB/T 47082-2026 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 现行
    译:GB/T 47082-2026 Test method for stacking faults of polished monocrystalline silicon carbide wafers
    适用范围:本文件描述了碳化硅(SiC)单晶抛光片堆垛层错的光致发光测试方法。 本文件适用于4H碳化硅(4H-SiC)单晶抛光片堆垛层错的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01
  • GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 现行
    译:GB/T 4326-2025 Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
    适用范围:本文件描述了非本征半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-10-31 | 实施时间: 2026-05-01
  • GB/T 11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法 现行
    译:GB/T 11073-2025 Test method for measuring radial resistivity variation on silicon wafers
    适用范围:本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、室温电阻率在3×10-4 Ω·cm~1.8×104 Ω·cm的p型硅单晶片及室温电阻率在6×10-3 Ω·cm~1×105 Ω·cm的n型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-10-31 | 实施时间: 2026-05-01
  • GB/T 29056-2025 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 现行
    译:GB/T 29056-2025 Determination of impurity content in trichlorosilane for silicon epitaxy—Inductively coupled plasma mass spectrometry
    适用范围:本文件描述了硅外延用三氯氢硅中锂、硼、钠、镁、铝、钾、钙、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、钼、砷、铅等元素的电感耦合等离子体质谱仪测定方法。 本文件适用于硅外延用三氯氢硅中杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-10-31 | 实施时间: 2026-05-01
  • GB/T 14140-2025 半导体晶片直径测试方法 现行
    译:GB/T 14140-2025 Test method for measuring diameter of semiconductor wafer
    适用范围:本文件描述了用轮廓仪法、千分尺法和游标卡尺法测试半导体晶片直径的方法。 本文件适用于圆形半导体晶片直径的测试,测试范围为标称直径不大于300 mm。本文件不适用于测试晶片的不圆度。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-08-01 | 实施时间: 2026-02-01
  • YS/T 1740-2025 电子级三氯氢硅的化学气相沉积评价方法 现行
    译:YS/T 1740-2025 Electron-grade trichlorosilane chemical vapor deposition evaluation method
    适用范围:适用于硅多晶生产和硅外延用电子级三氯氢硅的质量评价。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 1754-2025 颗粒硅表面粉尘的测定 浊度法 现行
    译:YS/T 1754-2025 YST 1754-2025: Determination of Surface Dust on Granular Silicon by Turbidity Method
    适用范围:适用于颗粒硅表面粉尘的测定,测定范围为0NTU~1000NTU。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 1768-2025 硅多晶生产用石墨制品表面杂质含量的测定 电感耦合等离子体光谱法 现行
    译:YS/T 1768-2025 Determination of Surface Impurity Content of Graphite Products Used for Silicon Polycrystalline Production by Inductively Coupled Plasma Spectroscopy
    适用范围:适用于硅多晶生产用石墨制品中表面杂质元素含量的测定。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 526-2025 镍硼硅系自熔合金粉 现行
    译:YS/T 526-2025 Nickel boron silicon self-fluxing alloy powder
    适用范围:适用于气雾化法生产的氧-乙炔喷焊、等离子堆焊、激光熔覆等焊接用镍硼硅系自熔合金粉。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.160粉末冶金 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 1755-2025 颗粒硅总金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 现行
    译:YS/T 1755-2025 Determination of Total Metal Impurity Content in Granular Silicon by Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry (ICP-MS)
    适用范围:适用于流化床法颗粒硅总金属,如铁、铬、镍、铜、钠、镁、铝、钾、钙、锌、钛、钼、钨、钴含量的测定,各元素检测范围为0.05ng/g~50ng/g。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 1747-2025 硅材料中氢含量的测定 惰性气体熔融热导法 现行
    译:YS/T 1747-2025 Determination of hydrogen content in silicon materials using inert gas fusion thermometry
    适用范围:适用于硅材料中氢含量的测定,测定范围为0.05μg/g~25000μg/g。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 983-2024 硅多晶还原炉尾气成分的测定 气相色谱法 现行
    译:YS/T 983-2024
    适用范围:本文件适用于三氯氢硅法生产硅多晶还原炉尾气成分的测定
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2024-10-24 | 实施时间: 2025-05-01
  • YS/T 981.1-2024 高纯铟化学分析方法 第1部分:痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 现行
    译:YS/T 981.1-2024 YS/T 981.1-2024 Chemical analysis methods for high purity indium Part 1: Determination of trace impurity element content by glow discharge mass spectrometry
    适用范围:本文件适用于高纯铟中痕量杂质元素含量的测定
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2024-10-24 | 实施时间: 2025-05-01
  • YS/T 1703-2024 晶片包装片盒表面颗粒的测试 液体颗粒计数法 现行
    译:YS/T 1703-2024 Test of surface particles on chip packaging trays for counting liquid particles in YS/T 1703-2024
    适用范围:本文件适用于直径100mm、125mm、150mm、200mm、300mm的硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他材质的半导体晶片包装片盒颗粒洁净度的测试
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 :H17半金属及半导体材料分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2024-10-24 | 实施时间: 2025-05-01