GB/T 47080-2026 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
GB/T 47080-2026 Test method for dislocation density of diamond single crystal polished wafer
基本信息
本文件适用于{100}、{110}或{111}晶面立方金刚石单晶抛光片位错密度范围为5×103个/cm2~5×107个/cm2的测试。
发布历史
-
2026年01月
文前页预览
研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院半导体研究所、德州学院、成都中科米格检测技术有限公司、中国石油集团工程材料研究院有限公司、河南碳真芯材科技有限公司、吉林大学、安徽光智科技有限公司、山东大学、嘉兴沃尔德金刚石工具有限公司、北京大学东莞光电研究院、浙江先导微电子科技有限公司、北京特思迪半导体设备有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司、河南省惠丰金刚石有限公司、哈工大郑州研究院、南京同溧晶体材料研究院有限公司、湖北碳六科技有限公司、南京瑞为新材料科技有限公司、成都市玖展科技有限公司、佳睿福钻石(河南)有限公司
- 起草人：
- 霍晓迪、曹繁秋、郑红军、王希玮、闫方亮、王少龙、屈鹏霏、王镇、金鹏、李红东、朱嘉琦、欧琳芳、陈继锋、王琦、于金凤、蒋继乐、张娟涛、张军安、王志强、李一村、李东振、吕继磊、徐良伟、黄亮、冯参军、赵继文
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：12 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77040
CCSH.17
中华人民共和国国家标准
GB/T47080—2026
金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
Testmethodfordislocationdensityofdiamondsinglecrystalpolishedwafer
2026-01-28发布2026-08-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T47080—2026
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草单位中国科学院半导体研究所德州学院成都中科米格检测技术有限公司中国石油
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集团工程材料研究院有限公司河南碳真芯材科技有限公司吉林大学安徽光智科技有限公司山东
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大学嘉兴沃尔德金刚石工具有限公司北京大学东莞光电研究院浙江先导微电子科技有限公司北京
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特思迪半导体设备有限公司宁波晶钻科技股份有限公司河南省惠丰金刚石有限公司哈工大郑州研
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究院南京同溧晶体材料研究院有限公司湖北碳六科技有限公司南京瑞为新材料科技有限公司成都
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市玖展科技有限公司佳睿福钻石河南有限公司
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本文件主要起草人霍晓迪曹繁秋郑红军王希玮闫方亮王少龙屈鹏霏王镇金鹏李红东
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朱嘉琦欧琳芳陈继锋王琦于金凤蒋继乐张娟涛张军安王志强李一村李东振吕继磊徐良伟
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黄亮冯参军赵继文
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Ⅰ
GB/T47080—2026
金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
1范围
本文件描述了用干法刻蚀结合显微计数测试立方金刚石单晶抛光片位错密度的方法
。
本文件适用于或晶面立方金刚石单晶抛光片位错密度范围为3个2
{100}、{110}{111}5×10/cm~
7个2的测试
5×10/cm。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
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3术语和定义
界定的术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
4原理
当用特定等离子体刻蚀金刚石单晶时在单晶表面的位错线露头处刻蚀速度较快进而形成具有特
,,
定形状的刻蚀坑在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有特定形状的刻蚀坑单位视场面积内的
。,
刻蚀坑个数即为位错密度
。
5干扰因素
51刻蚀过程中等离子体组成样品表面温度和刻蚀时间会影响刻蚀效果对测试结果产生影响
.,、,。
52样品表面划痕过大的表面粗糙度会影响刻蚀效果对测试结果产生影响
.、,。
53人工统计刻蚀坑个数会产生误差
.。
6试剂
61去离子水或蒸馏水三级水符合的要求
.:,GB/T6682。
1
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