GB/T 47082-2026 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法

ICS77040

CCSH.17

中华人民共和国国家标准

GB/T47082—2026

碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法

Testmethodforstackingfaultsofpolishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2026-01-28发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T47082—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位山东天岳先进科技股份有限公司广东天域半导体股份有限公司河北普兴电子

:、、

科技股份有限公司南京百识电子科技有限公司南京盛鑫半导体材料有限公司安徽长飞先进半导体

、、、

股份有限公司西安龙威半导体有限公司浙江晶越半导体有限公司北京天科合达半导体股份有限

、、、

公司中电化合物半导体有限公司宁夏创盛新材料科技有限公司泰科天润半导体科技北京有限

、、、()

公司厦门华芯晶圆半导体有限公司

、。

本文件主要起草人张红岩陈延昌付健行杨世兴宋生丁雄杰薛宏伟胡智威韩旭刘红超

:、、、、、、、、、、

马林宝欧阳鹏根高冰佘宗静潘尧波胡惠娜刘小平陈基生

、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T47082—2026

碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法

1范围

本文件描述了碳化硅单晶抛光片堆垛层错的光致发光测试方法

(SiC)。

本文件适用于碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试

4H(4H-SiC)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包含所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体材料术语

GB/T14264

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

碳化硅单晶抛光片

GB/T30656

碳化硅晶体材料缺陷图谱

GB/T43612—2023

3术语和定义

和界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264、GB/T30656GB/T43612—2023。

4原理

光致发光测试方法是通过采用波长小于晶体材料禁带宽度对应波长的激发光源例如

(PL)SiC(,

波长为或照射单晶抛光片得到的光信号通过光电倍增管转换成电信号经

313nm355nm)SiC,PL,

过模拟数字转换器处理生成数字图像并转换为包含堆垛层错特征的灰度图像或将光信号通过图

;PL

像传感器转化为数字图像数字图像被处理生成包含堆垛层错特征的灰度图像通过软件分析获得晶

,。

片堆垛层错的分布和数量并根据使用需求对样品进行格子划分计算得到堆垛层错的面积占比

,,。

5干扰因素

51光源功率的稳定性会影响仪器对堆垛层错缺陷的信号采集在图像分析时易出现误判

.,。

52仪器所处环境有较强震动源会导致光路状态不稳定影响测试结果的准确性

.,。

53碳化硅单晶抛光片的表面沾污会对堆垛层错测试结果产生影响

.。

54仪器软件参数的设置如面积阈值和灵敏度阈值等会影响堆垛层错数量及面积占比的结果

.,,。

6试验条件

61测试环境温度

.:23℃±3℃。

62环境相对湿度

.:40%~70%。

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