国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：GB/T 32277-2015 Test method for instrumental neutron activation analysis (INAA) of silicon【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-12-10 | 实施时间： 2017-01-01收藏 -
废止
译：DB53/T 728-2015 Determination of In Content in Zinc Materials by Atomic Absorption Spectroscopy【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-DB53)云南省地方标准 | 发布时间： 2015-11-10 | 实施时间： 2016-02-01收藏
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废止
译：DB53/T 729-2015 Determination of Ge content in zinc materials by spectrophotometry【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-DB53)云南省地方标准 | 发布时间： 2015-11-10 | 实施时间： 2016-02-01收藏
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现行
译：YS/T 1059-2015 Determination of total carbon content in trichlorosilane for silicon eqitaxy—Gas chromatographic method适用范围：本标准规定了硅外延用三氯氢硅中总碳含量的气相色谱测定方法。 本标准适用于硅外延用三氯氢硅中总碳含量的测定，测定范围为0.000 05%～0.005%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：YS/T 1086-2015 Test methods for chemical analysis of high purity antimony—Determination of magnesium,manganese,iron,nickel,copper,zinc,arsenic,selenium,silver,cadmium,gold,lead and bismuth content—Inductively coupled plasma-mass spectrum method适用范围：本标准规定了高纯锑中镁、锰、铁、镍、铜、锌、砷、硒、银、镉、金、铅、铋含量的测定方法。 本标准适用于高纯锑中镁、锰、铁、镍、铜、锌、砷、硒、银、镉、金、铅、铋含量的测定。各元素测定范围为0.000 1%~0.010%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：YS/T 1060-2015 Determination of other chlorosilane in trichlorosilane for silicon eqitaxy—Gas chromatographic method适用范围：本标准规定了硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷(包括二氯二氢硅、四氯化硅)含量的气相色谱测定方法。 本标准适用于硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷(包括二氯二氢硅、四氯化硅)含量的测定。测定下限为0.002%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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废止
译：YS/T 983-2014 Test method for measuring composition of polysilicon deposition reactor and TCS to STC converter vent gas适用范围：本标准规定了多晶硅还原炉和氢化炉尾气成分的测定方法。 本标准适用于改良西门子法工艺还原炉和氢化炉尾气成分（氢气、氯化氢、三氯氢硅、二氯二氢硅和四氯化硅）的测定。检测范围为体积分数0.1%～100%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2014-10-14 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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现行
译：YS/T 981.4-2014 Method for chemical analysis of high pure indium—Determination of tin content—Benzfluorenone-cetyltrimethylammonium bromide spectrophotometric method适用范围：YS/T 981的本部分规定了高纯铟中锡含量的测定方法。 本部分适用于99.999 9%高纯铟中锡含量的测定。测定范围为5×10-5%~2×10-4%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2014-10-14 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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现行
译：YS/T 981.3-2014 Methods for chemical analysis of high pure indium—Determination of silicon content—Molybdenum blue spectrophotometric method适用范围：YS/T 981的本部分规定了高纯铟中硅含量的测定方法。 本部分适用于99.999 9%高纯铟中硅含量的测定。测定范围为5×10-5%~2×10-4%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2014-10-14 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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废止
译：YS/T 981.1-2014 Methods for chemical analysis of high purity indium—Determination of magnesiumaluminumsiliconsulphurironnickelcopperzinc,arsenic,silver,cadmium,tin,thallium,lead content—High mass resolution glow discharge mass specrometry适用范围：YS/T 981的本部分规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测定99.999%以上高纯铟中镁、铝、硅、硫、铁、镍、铜、锌、砷、银、镉、锡、铊、铅元素含量的方法。 本部分适用于高纯铟中镁、铝、硅、硫、铁、镍、铜、锌、砷、银、镉、锡、铊、铅的测定各元素测定范围为5.0×10-7%~1.0×10-3%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2014-10-14 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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现行
译：YS/T 984-2014 Determination of boron and phosphorus concent in silicon powder by chemical analysis适用范围：本标准规定了硅粉中硼含量、磷含量的测定方法。 本标准适用于硅粉中硼含量、磷含量的测定。测定范围为硼 0.000 10％～0.010 00％，磷 0.000 50％～0.015 00％。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2014-10-14 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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现行
译：YS/T 981.2-2014 Methods for chemical analysis of high purity indium—Determination of magnesium,aluminum,iron,nickel,copper,zinc,silver,cadmium,tin and lead—Inductively coupled plasma mass spectrometry适用范围：YS/T 981的本部分规定了99.999%~99.999 9%高纯铟中镁、铝、铁、镍、铜、锌、银、镉、锡、铅元素含量的测定方法。 本部分适用于高纯铟中镁、铝、铁、镍、铜、锌、银、镉、锡、铅含量的测定。各元素的测定范围见表1。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2014-10-14 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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被代替
译：YS/T 987-2014 Test method for measuring carbon containing compound in chlorosilane—Determination of methyldichlorosilane适用范围：本标准规定了氯硅烷中碳杂质的测定方法，主要包括三氯氢硅中甲基二氯氢硅的测定和四氯化硅中甲基二氯氢硅的测定。 本标准适用于三氯氢硅中甲基二氯氢硅的测定和四氯化硅中甲基二氯氢硅的测定。三氯氢硅、四氯化硅中甲基二氯氢硅的检测范围均为0.000 01%～1.00%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2014-10-14 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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现行
译：YS/T 980-2014 Determination of impurities of high purity gallium oxide—Inductively coupled plasma-mass spectrmetry适用范围：本标准规定了高纯三氧化二镓中杂质元素含量的测定方法。 本标准适用于高纯三氧化二镓中钠、镁、钙、钛、钒、铬、锰、铁、镍、钴、铜、锌、锡、铅、铟含量的测定。各元素测定范围为(1×10-6)%~(4×10-5)%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2014-10-14 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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现行
译：YS/T 981.5-2014 Methods for chemical analysis of high pure indium—Determination of thallium content—Rhodamine B spectrophotometric method适用范围：YS/T 981的本部分规定了高纯铟中铊含量的测定方法。 本部分适用于99.999 9%高纯铟中铊含量的测定。测定范围为5×10-5%~3×10-4%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2014-10-14 | 实施时间： 2015-04-01收藏
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现行
译：YS/T 34.1-2011 Method for chemical analysis of the high-purity arsenic—Inductive coupling plasma mass spectrum (ICP-MS) for determinating the concentration of elements in the high-purity arsenic适用范围：YS/T 34的本部分规定了高纯砷中金属杂质含量的测定方法，采用电感耦合等离子质谱法测定砷中镁、铬、镍、铜、锌、银、锑、铅、铋、钠、钾、铝、钙、铁等14个杂质含量。 本部分适用于99.999%～99.99999%高纯砷中金属杂质含量的测定。测定范围为1×10－7%～1 000×10－7%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2011-12-20 | 实施时间： 2012-07-01收藏
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现行
译：YS/T 34.3-2011 Method for chemical analysis of the high-purity arsenic—Predicating method for determinating the concentration of sulfur适用范围：YS/T 34的本部分规定了高纯砷中硫含量的测定方法。 本部分适用于砷(99.999%)中硫含量的测定。测定范围为0.000 03%～0.000 15%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2011-12-20 | 实施时间： 2012-07-01收藏
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现行
译：YS/T 34.2-2011 Method for chemical analysis of the high-purity arsenic—Predicating method for determinating the concentration of selenium适用范围：YS/T 34的本部分规定了高纯砷中硒含量的测定方法。 本部分适用于砷(99.999%)中硒含量的测定。测定范围为0.000 05%～0.000 15%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2011-12-20 | 实施时间： 2012-07-01收藏
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现行
译：GB/T 26067-2010 Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers适用范围：1.1本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。 1.2本标准中物体平面尺寸为0.1mm时，通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像，通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。 1.3本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2011-01-10 | 实施时间： 2011-10-01收藏
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现行
译：GB/T 26070-2010 Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method适用范围：1.1本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.99金属材料的其他试验方法 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2011-01-10 | 实施时间： 2011-10-01收藏
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废止
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被代替
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