国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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被代替
译：GB/T 4059-2007 Polycrystalline silicon—Examination method—Zone-melting on phosphorus under controlled atmosphere适用范围：本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。 本标准检测杂质浓度的有效范围：0.002×10-9~100×10-9。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2007-09-11 | 实施时间： 2008-02-01收藏 -
被代替
译：GB/T 11073-2007 Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices适用范围：本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2007-09-11 | 实施时间： 2008-02-01收藏
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废止
译：YB/T 5312-2006 Methods for chemical analysis of calcium-silicon--The perchloric acid dehydration-gravimetric method for the determination of silicon content【国际标准分类号(ICS)】 ：77.120.70镉、钴及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YB)行业标准-黑色冶金 | 发布时间： 2006-07-27 | 实施时间： 2006-10-11收藏
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废止
译：YB/T 5317-2006 Methods for chemical analysis of calcium-silicon The infrared absorption method and the combustion-potassium iodate titration method for the determination of sulfur content【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YB)行业标准-黑色冶金 | 发布时间： 2006-07-27 | 实施时间： 2006-10-11收藏
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废止
译：YB/T 5316-2006 Methods for chemical analysis of calcium-silicon The infrared absorption method for the determination of carbon content【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YB)行业标准-黑色冶金 | 发布时间： 2006-07-27 | 实施时间： 2006-10-11收藏
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废止
译：YB/T 5314-2006 Methods for chemical analysis of calcium-silicon--The EDTA titrimetric method for the determination of aluminum content【国际标准分类号(ICS)】 ：77.120.70镉、钴及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YB)行业标准-黑色冶金 | 发布时间： 2006-07-27 | 实施时间： 2006-10-11收藏
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废止
译：YB/T 5315-2006 Methods for chemical analysis of calcium-silicon The phosphomolybdenum blue photometric method for the determination of phosphorus content【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-YB)行业标准-黑色冶金 | 发布时间： 2006-07-27 | 实施时间： 2006-10-11收藏
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被代替
译：GB/T 8760-2006 Gallium arsenide single crystal—Determination of dislocation density适用范围：本标准适用于位错密度为（0～100000）个/cm2 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-07-18 | 实施时间： 2006-11-01收藏
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被代替
译：GB/T 1557-2006 The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption适用范围：本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at·cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-07-18 | 实施时间： 2006-11-01收藏
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被代替
译：GB/T 5252-2006 Germanium monocrystal—Inspection of dislocation etch pit density适用范围：本标准适用于位错密度0cm-2～100000 cm-2 的n型和p型锗单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为（111）、（100）和（113）面。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-07-18 | 实施时间： 2006-11-01收藏
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被代替
译：GB/T 4326-2006 Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient适用范围：本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达 104Ω·cm 半导体单晶材料的测试。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-07-18 | 实施时间： 2006-11-01收藏
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现行
译：GB/T 11068-2006 Gallium arsenide epitaxial layer—Determination of carrier concentration voltage-capacitance method适用范围：本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×1014 cm-3～5×1017 cm-3。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-07-18 | 实施时间： 2006-11-01收藏
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现行
译：GB/T 8758-2006 Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared interference适用范围：本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm，外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-07-18 | 实施时间： 2006-11-01收藏
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现行
译：GB/T 8757-2006 Determination of carrier concentration in gallium arsenide by the plasma resonance minimum适用范围：本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围： n-GaAs 1.0×10 17 cm -3～1.0×10 19 cm -3 p-GaAs 2.0×10 18 cm -3～1.0×10 20 cm -3【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2006-07-18 | 实施时间： 2006-11-01收藏
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现行
译：GB/T 19922-2005 Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2005-09-19 | 实施时间： 2006-04-01收藏
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被代替
译：GB/T 19921-2005 Test method of particles on silicon wafer surfaces【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.01金属材料试验综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2005-09-19 | 实施时间： 2006-04-01收藏
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废止转行标
译：GB/T 4700.7-1998 Methods for chemical analysis of calcium-silicon—The infrared absorption method and the combustion-potassium iodate titration method for the determination of sulfur content【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-12-07 | 实施时间： 1999-07-01收藏
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废止转行标
译：GB/T 4700.5-1998 Methods for chemical analysis of calcium-silicon—The infrared absorption method for the determination of carbon content【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-12-07 | 实施时间： 1999-07-01收藏
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废止转行标
译：GB/T 4700.4-1998 Methods for chemical analysis of calcium-silicon—The phosphomolybdenum blue photometric method for the determination of phosphorus content【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-12-07 | 实施时间： 1999-07-01收藏
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被代替
译：GB/T 14849.1-1993 Silicon metal—Determination of iron content—1,10-Phenanthroline spectrophotometric method【国际标准分类号(ICS)】 ：77.140.10热处理钢 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1993-12-24 | 实施时间： 1994-09-01收藏
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废止
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