GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法

ICS77.040.01

H17

中华人民共和国国家标准

GB/T11068—2006

代替GB/T11068—1989

碑化镌外延层载流子浓度

电容■电压测量方

Galliumarsenideepitaxiallayer—Determinationofcarrier

concentrationvoltage-capacitancemethod

2006-07-18发布2006-11-01实施

发布

GB/T11068—2006

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本标准是对GB/T11068—1989«神化稼外延层载流子浓度电容-电压测量方》的修订。本标准在

原标准基础上，参考DIN50439《电容-电压法和汞探针测定半导体单晶材料掺杂剂的浓度剖面分布》编

制的。

本标准与原标准相比主要变动如下：

——原标准规定，在制作高阻衬底样品的欧姆电极时，要在氮气保护及400°C下合金化5min,而经

验表明，在350°C〜450°C的温度下合金化，都可得到好的欧姆接触电极，故将此项要求改为在

350°C〜400C及氮气保护下，合金化5min〜10min；

-取消了原标准对环境的要求，因为在通常的实验室条件下，所用仪器和测试方法本身对环境温

度和湿度并不十分敏感，特别是成套仪器。但由于载流子浓度与温度有关，故应在测量报告中

标明测量时的环境温度；

——简化了原标准关于电容仪校准的文字表述。

本标准自实施之日起代替GB/T11068—1989O

本标准由中国有色金属丁业协会提出。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。

本标准起草单位:北京有色金属研究总院。

本标准主要起草人:王彤涵。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

——GB/T11068—19890

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GB/T11068—2006

碑化掾外延层载流子浓度

电容■电压测量方

1范围

本标准规定了神化傢外延层载流子浓度电容-电压测量方，适用于神化傢外延层基体材料中载流

子浓度的测量。测量范围：1X1O14cm^〜5X1O17cm3o

2术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

2.1

击穿电压breakdownvoltage

当反向偏压增加到某一值时，肖特基结就失去阻扌肖作用，反向电流迅速增大时的电压值。

2.2

接触面积contactarea

汞探针与试样表面的有效接触面