GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
GB/T 42263-2022 Determination of nitrogen content in silicon single crystal—Secondary ion mass spectrometry method
国家标准
中文简体
现行
页数:6页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
GB/T 42263-2022
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2022-12-30
实施日期
2023-04-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020 cm-3(0.2%)的硅单晶中氮含量的测定,测定范围不小于1×1014 cm-3。注: 硅单晶中氮含量以每立方厘米中的原子数计。
发布历史
-
2022年12月
研制信息
- 起草单位:
- 中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司
- 起草人:
- 马农农、何友琴、李素青、陈潇、刘立娜、何烜坤
- 出版信息:
- 页数:6页 | 字数:14 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH17
中华人民共和国国家标准
/—
GBT422632022
硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法
—
DeterminationofnitroencontentinsiliconsinlecrstalSecondarionmass
ggyy
sectrometrmethod
py
2022-12-30发布2023-04-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT422632022
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
。。
请
定制服务
推荐标准
- GB/T 5095.2505-2021 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第25-5部分:试验25e:回波损耗 2021-03-09
- GB/T 4797.9-2021 环境条件分类 自然环境条件 贮存、运输和使用过程中测得的冲击和振动数据 2021-03-09
- GB/T 5095.2504-2021 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第25-4部分:试验25d:传输时延 2021-03-09
- GB/T 5095.2304-2021 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第23-4部分:屏蔽和滤波试验 试验23d:时域内传输线的反射 2021-03-09
- GB/T 5095.2307-2021 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第23-7部分:屏蔽和滤波试验 试验23g:连接器的有效转移阻抗 2021-03-09
- GB/T 5095.2501-2021 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第25-1部分:试验25a:串扰比 2021-03-09
- GB/T 5095.2303-2021 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第23-3部分:屏蔽和滤波试验 试验23c:连接器和附件的屏蔽效果 线注入法 2021-03-09
- GB/T 5095.2503-2021 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第25-3部分:试验25c:上升时间衰减 2021-03-09
- GB/T 4892-2021 硬质直方体运输包装尺寸系列 2021-03-09
- GB/T 5095.2502-2021 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第25-2部分:试验25b:衰减(插入损耗) 2021-03-09