GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
GB/T 33236-2016 Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method
国家标准
中文简体
现行
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2016-12-13
实施日期
2017-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)
适用范围
本标准规定了采用辉光放电质谱(GDMS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数)，检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。
发布历史
-
2016年12月
研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 起草人：
- 卓尚军、钱荣、董疆丽、申如香、盛成、高捷、郑文平
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：22 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS71.040.40
G04
中华人民共和国国家标准
/—
GBT332362016
多晶硅痕量元素化学分析
辉光放电质谱法
——
PolcrstallinesiliconDeterminationoftraceelements
yy
Glowdischaremasssectrometrmethod
gpy
2016-12-13发布2017-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT332362016
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
定制服务
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