适用范围：本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。 本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。

适用范围：本标准规定了锗多晶、锗单晶制备和机械加工过程中产生的缺陷，给出了各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单晶、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了空间粒子探测用锗酸铋闪烁晶体的术语和定义、产品编号、技术要求、检测方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存等。本标准主要适用于空间粒子探测用锗酸铋闪烁晶体产品

适用范围：范围:本标准规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。产品作为衬底材料主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件; 主要技术内容:本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准规定了碳化硅抛光片的晶向为碳化硅抛光片表面取向的正交晶向偏离为：a) 正晶向：0° ± 0.5°; b) 偏晶向：碳化硅抛光片的晶向偏离为晶片表面法线沿主定位边方向偏向[1120]方向4°±0.5°或其它角度。同时本标准还规定了表面缺陷、微管密度、结晶质量、电阻率、多型、位错密度等内容

适用范围：范围:本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺 杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层; 主要技术内容:本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。本标准规定的方法是 4H 碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。当外延层表面反射的光束和衬底界面反射的光束的光程差是半波长的整数倍时，反射光谱中可以观察到极大极小值。根据反射谱中干涉条纹的极值峰位，试样的光学常数以及入射角可以计算出相应的外延层厚度。4H 碳化硅外延层的厚度检测原理如图2：入射光由A 处入射，经由外延表面AC 反射，同时经过折射在衬底和外延界面B 处反射，由C 处射出，和D 处的反射光之间的相位差δ即可求得

适用范围：主要技术内容:SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiC PiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看，n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似，所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底，为了制造n沟道IGBT器件材料，需要使用反转型n沟道IGBT器件结构，制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比，p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单，而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底，即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料，正是该p+型漂移层，使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能

适用范围：主要技术内容:本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底

适用范围：本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的圆形硅单晶切割片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等，或进一步加工成抛光片。

适用范围：本标准规定了磷化铟多晶的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。本标准适用于生产磷化铟单晶用的磷化铟多晶。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅单晶（简称硅单晶）的牌号、分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片后进一步制作太阳能电池。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅单晶片（简称硅片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容等。 本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片，产品用于制作太阳能电池的衬底片。

适用范围：本标准规定了硅单晶抛光片（简称硅抛光片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅外延片的衬底。

适用范围：范围:本标准规定了硒大米的术语和定义、质量要求、检验方法、检验规则、及标签标识、包装、储存和运输要求。 本标准适用于以湖北省生产的含硒、富硒稻谷或其加工的糙米为原料加工的食用商品硒大米; 主要技术内容:4质量要求4.1质量要求应符合GB/T 1354中表2的规定。4.2硒含量要求应符合表1要求。表1 硒含量要求名 称硒含量/mg/kg含硒大米≥0.075富硒大米≥0.154.3食品安全要求稻谷、糙米原料应符合GB 2715的规定。生产过程应符合GB 14881和GB 13122的规定。生产过程中使用的水应符合GB 5749的规定。硒大米中真菌毒素、污染物和农药残留等安全指数（PN）符合LS/T 3247的规定。植物检疫按有关标准和国家有关规定执行。4.4追溯信息供应方应提供原料和成品大米的追溯信息，具体要求见附录A。5检验方法质量指标检验：按GB/T 1354执行。硒含量检验：按GB 5009.93执行食品安全指标检验：按国家有关标准检验真菌毒素、污染物和农药残留含量，按LS/T 3247规定分别计算上述每种物质的安全指数。6检验规则6.1扦样、分样按GB/T 5491执行。6.2检验的一般规则按GB/T 5490执行。6.3检验批同原料、同工艺、同设备、同班次加工的大米为一批。6.4判定规则质量符合4.1、4.2要求的可判定为含硒大米或富硒大米。质量符合4.1要求但不符合4.2要求的，不应判定为含硒或富硒大米，可判定为普通大米。6.5出厂检验出厂检验按4.1、4.2的规定执行。7标签标识、包装、储存和运输按GB/T 1354执行

适用范围：范围:本标准规定了玻璃高脚杯的分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于钠钙硅玻璃制造的盛装饮料、酒类等的玻璃高脚杯。 本标准不适用于钢化玻璃高脚杯; 主要技术内容:本标准规定了玻璃高脚杯的分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存

适用范围：主要技术内容:本标准规定了日用玻璃杯的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存等要求

适用范围：本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用砷化镓单晶抛光片(以下简称砷化镓抛光片)。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片（以下简称“外延片”）的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片。

适用范围：本标准规定了流化床法生产的颗粒硅的术语和定义、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅产品。

适用范围：本标准规定了蓝宝石晶体缺陷的术语和定义、形貌特征及产生原因。 本标准适用于蓝宝石单晶材料制备中各种缺陷的检验和分析。

适用范围：本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。