国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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译：SJ 20066-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 2CL3 silicon high voltage rectifier stack【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-11-19 | 实施时间： 1993-05-01收藏 -
现行
译：SJ 20171-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DK51 power switching transistor【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-11-19 | 实施时间： 1993-05-01收藏
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译：SJ 20180-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for reverse-blocking thyristor for Type 3CT105【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-11-19 | 实施时间： 1993-05-01收藏
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译：SJ 20174-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power switching transistor of Types 3DK2221,3DK2221A, 3DK2222 and 3DK2222A【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-11-19 | 实施时间： 1993-05-01收藏
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译：SJ 20139-1992 Test method for maximum cooling power of military thermoelectric cooling module【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L46温差电致冷组件与器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-11-19 | 实施时间： 1993-05-01收藏
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译：SJ 20176-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-11-19 | 实施时间： 1993-05-01收藏
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译：SJ 20182-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for reverse-blocking thyristor for Types 3CT682,683, 685～692 and 3CT5206【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-11-19 | 实施时间： 1993-05-01收藏
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译：SJ 20059-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG111【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-11-19 | 实施时间： 1993-05-01收藏
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译：SJ 20011-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-02-01 | 实施时间： 1992-05-01收藏
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译：SJ 20016-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-02-01 | 实施时间： 1992-05-01收藏
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译：SJ 20014-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for PNP silicon low-power transistor for Type 3CG110 GP,GT and GCT classes【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-02-01 | 实施时间： 1992-05-01收藏
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译：SJ 20012-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS4 GP,GT and GCT classes【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-02-01 | 实施时间： 1992-05-01收藏
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译：SJ 20015-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon high-frequency low-power transistor for type 3DG130 GP,GT and GCT classes【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-02-01 | 实施时间： 1992-05-01收藏
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译：SJ 20013-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS10 GP,GT and GCT classes【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1992-02-01 | 实施时间： 1992-05-01收藏
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废止
译：SJ/T 10055-1991 Detail specification for electronic components--Case rated silicon rectifier diode,Type 2CZ58【国际标准分类号(ICS)】 ：31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1991-04-08 | 实施时间： 1991-07-01收藏
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译：SJ/T 10056-1991 Detail specification for electronic components--Case rated silicon rectifier diode,Type 2CZ59【国际标准分类号(ICS)】 ：31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1991-04-08 | 实施时间： 1991-07-01收藏
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译：SJ/T 10053-1991 Detail specification for electronic components--Silicon NPN case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3DD313【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1991-04-08 | 实施时间： 1991-07-01收藏
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译：SJ/T 10061-1991 Detail specification for electronic components--Silicon schottky barrier mixer diodes,Type 2CV3A,2CV3B and 2CV3G【国际标准分类号(ICS)】 ：31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1991-04-08 | 实施时间： 1991-07-01收藏
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译：SJ/T 10052-1991 Detail specification for electronic components--Silicon PNP case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3CD507【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1991-04-08 | 实施时间： 1991-07-01收藏
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废止
译：SJ/T 10060-1991 Detail specification for electronic components--Ambient rated silicon rectifier diode,Type 2CZ117【国际标准分类号(ICS)】 ：31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L43半导体整流器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1991-04-08 | 实施时间： 1991-07-01收藏
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