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  • SJ 20308-1993 半导体分立器件 FH1025型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范 现行
    SJ 20308-1993 半导体分立器件 FH1025型NPN硅功率达林顿晶体管详细规范
    译:SJ 20308-1993 Detail specification for Type FH1025 NPN silicon power Darlington transistor
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1993-05-11 | 实施时间: 1993-07-01
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  • SJ 20310-1993 半导体分立器件 3DD101型功率晶体管详细规范 现行
    SJ 20310-1993 半导体分立器件 3DD101型功率晶体管详细规范
    译:SJ 20310-1993 Detail specification for Type 3DD101 power transistor
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1993-05-11 | 实施时间: 1993-07-01
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  • SJ 20175-1992 半导体分立器件 3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范 现行
    SJ 20175-1992 半导体分立器件 3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范
    译:SJ 20175-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon ultra-high frequency low-power transistor of Type 3DG918
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-11-19 | 实施时间: 1993-05-01
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  • SJ 20172-1992 半导体分立器件 3DK38型功率开关晶体管详细规范 现行
    SJ 20172-1992 半导体分立器件 3DK38型功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20172-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DK38 power switching transistor
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-11-19 | 实施时间: 1993-05-01
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  • SJ 20055-1992 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    SJ 20055-1992 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20055-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK102
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-11-19 | 实施时间: 1993-05-01
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  • SJ 20062-1992 半导体分立器件 3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范 现行
    SJ 20062-1992 半导体分立器件 3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范
    译:SJ 20062-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of Type 3DG210
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-11-19 | 实施时间: 1993-05-01
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  • SJ 20060-1992 半导体分立器件 3DG120型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 现行
    SJ 20060-1992 半导体分立器件 3DG120型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
    译:SJ 20060-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-11-19 | 实施时间: 1993-05-01
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  • SJ 20056-1992 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    SJ 20056-1992 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20056-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK103
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-11-19 | 实施时间: 1993-05-01
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  • SJ 20057-1992 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    SJ 20057-1992 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20057-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK104
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
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  • SJ 20168-1992 半导体分立器件 3DK12型功率开关晶体管详细规范 现行
    SJ 20168-1992 半导体分立器件 3DK12型功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20168-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DK12 power switching transistor
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-11-19 | 实施时间: 1993-05-01
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  • SJ 20177-1992 半导体分立器件 3CK3634~3CK3637型PNP硅小功率开关晶体管详细规范 现行
    SJ 20177-1992 半导体分立器件 3CK3634~3CK3637型PNP硅小功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20177-1992 Semiconductor discrete device-Detail specification for PNP silicon low-power switching transistor for Types 3CK3634~3CK3637
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
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  • SJ 20061-1992 半导体分立器件 CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 现行
    SJ 20061-1992 半导体分立器件 CS146型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
    译:SJ 20061-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS146
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
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    SJ 20173-1992 半导体分立器件 3DK2218(2218A、2219、2219A)型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20173-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power switching transistor of Types 3DK2218,3DK2218A, 3DK2219 and 3DK2219A
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    译:SJ 20054-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK101
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
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    SJ 20183-1992 半导体分立器件 3DD6型功率晶体管详细规范
    译:SJ 20183-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DD6 power transistor
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    SJ 20178-1992 半导体分立器件 3CK38型功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20178-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3CK38 power switching transistor
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    SJ 20058-1992 半导体分立器件 3DK105型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20058-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK105
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    SJ 20171-1992 半导体分立器件 3DK51型功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20171-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DK51 power switching transistor
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    SJ 20174-1992 半导体分立器件 3DK2221(2221A、2222、2222A)型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
    译:SJ 20174-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power switching transistor of Types 3DK2221,3DK2221A, 3DK2222 and 3DK2222A
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
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    SJ 20176-1992 半导体分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
    译:SJ 20176-1992 Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1992-11-19 | 实施时间: 1993-05-01
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