GB/T 45459-2025 微束分析 聚焦离子束 透射电镜试样制备方法

ICS7104040

CCSG.04.

中华人民共和国国家标准

GB/T45459—2025

微束分析聚焦离子束

透射电镜试样制备方法

Microbeamanalysis—Focusedionbeam—PreparationofTEMspecimens

2025-03-28发布2025-10-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T45459—2025

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

仪器设备

4…………………2

基本功能

4.1……………2

仪器组成

4.2……………3

仪器原理

4.3……………3

环境与样品要求

5…………………………3

环境要求

5.1……………3

样品要求

5.2……………4

试样制备

6…………………4

仪器检查

6.1……………4

样品与仪器准备

6.2……………………4

制备步骤

6.3……………5

试验记录

7…………………12

参考文献

……………………13

Ⅰ

GB/T45459—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC38)。

本文件起草单位北京科技大学天津大学南京大学首钢集团有限公司上海交通大学哈尔滨工

:、、、、、

业大学

。

本文件主要起草人乔祎徐宗伟邓昱孟杨王英王荣明邹永纯尤力朱玉辰

:、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T45459—2025

微束分析聚焦离子束

透射电镜试样制备方法

1范围

本文件规定了聚焦离子束法制备透射电镜试样的仪器设备环境与样品要求试样制备和试验

、、

记录

。

本文件适用于金属材料半导体矿物等无机非金属材料及高分子材料等固态材料的透射电镜试样

,、

制备

。

本文件适用于各种类型的聚焦离子束场发射扫描电镜双束系统单束系统和多束系统参照执行

,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

聚焦离子束系统分析方法通则

JY/T0583—2020

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

JY/T0583—2020。

31

.

聚焦离子束系统focusedionbeamsystemFIB

;

采用聚焦的离子束对样品表面进行轰击并由计算机控制离子束的扫描或加工轨迹步距驻留时

,、、

间和循环次数以实现对材料的成像刻蚀诱导沉积和注入的分析加工系统

,、、。

来源

[:JY/T0583—2020,2.1]

32

.

前驱气体precursorgas

含有目标元素呈气态易挥发液态或固态具备化学热稳定性和相应的反应活性或物理性能的有

,、,

机化合物

。

33

.

电子束诱导沉积electronbeaminduceddeposition

采用聚焦电子束诱导前驱气体在样品表面分解形成沉积物的过程

。

34

.

离子束诱导沉积ionbeaminduceddeposition

采用聚焦离子束诱导前驱气体在样品表面分解形成固态物质的过程

。

来源有修改

[:JY/T0583—2020,2.2,]

35

.

离子束刻蚀ionbeammilling

采用高能离子束轰击样品表面将样品的原子溅射出表面的过程

,。

1

GB/T45459—2025

来源有修改

[:JY/T0583—2020,2.3,]

36

.

粗切coarsemilling

采用大束流通常为进行的离子束刻蚀

(4nA~100nA)。

37

.

细切thinmilling

采用小束流通常为进行的离子束刻蚀

(0.5nA~4nA)。

38

.

分级减薄grandedthinning

采用电压或电流逐级递减的离子束对样品进行离子刻蚀的过程

。

39

.

非晶损伤amorphousdamage

在高能离子束的作用下样品表面发生的非晶化现象

,。

310

.

低能离子束清洗low-energyionbeammodification

使用低能离子束对样品表面进行加工清除样品非晶损伤层的技术

,。

311

.

气体辅助刻蚀gasassistedetching

在离子束作用下样品与注入的辅助气体发生化学反应生成易挥发物质增强刻蚀效果的过程

,,,。

312

.

离子束注入ionbeamimplantation

高能离子束轰击样品表面时高能离子与样品原子发生碰撞逐渐失去能量而驻留在样品中

,,。

来源有修改

[:JY/T0583—2020,2.5,]

313

.

气体注入系统gasinjectionsystemGIS

;

用于向样品表面引入某种气体来辅助完成物质沉积与增强刻蚀功能的系统

。

来源有修改

[:JY/T0583—2020,2.6,]

314

.

剂量dose

单位面积上的入射电荷量单位为纳库微米22

,/(nC/μm)。

来源

[:JY/T0583—2020,2.7]

315

.

共聚焦距离coincidedistance

电子束和离子束的交汇点与电子束系统极靴下表面的距离

。

来源有修改

[:JY/T0583—2020,2.8,]

4仪器设备

41基本功能

.

具有成像刻蚀诱导沉积和注入等分析加工功能

、、