GB/T 31358-2015 半导体激光器总规范

ICS31.260

中华人民共和国国彖标准

GB/T31358—2015

半导体激光器总规范

Generalspecificationforsemiconductorlasers

2015-02-04发布2015-08-01实施

GB/T31358—2015

目次

前言m

i范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4分类3

4.1按波长分类3

4.2按半导体芯片衬底材料分类3

4.3按激励方式分类4

4.4按照输出光模式分类4

4.5按用途分类4

4.6按激光芯片出光方向分类4

4.7按封装方式分类4

4.8按工作方式分类4

4.9按冷却方式分类4

4.10按发光单元排列方式分类4

4.11按功率分类4

4.12按能量分类4

5技术要求4

5.1外观质量要求4

5.2性能、结构和使用条件要求5

5.3环境适应性要求6

5.4寿命要求7

5.5安全要求7

6测试要求8

6.1一般要求8

6.2外观检查8

6.3性能和结构参数测试8

6.4环境适应性测试8

6.5寿命测试9

6.6安全测试9

7检验规则9

7.1总则9

7.2检验分类9

7.3批的组成9

7.4抽样方案及合格判定9

7.5检验分组10

T

GB/T31358—2015

7.6型式检验11

7.7逐批检验11

7.8周期检验11

8标志、包装、运输和贮存12

8.1标志12

8.2包装12

8.3运输和贮存12

n

GB/T31358—2015

■ir■■i

刖吕

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准由中国机械工业联合会提出。

本标准由全国光辐射安全和激光设备标准化技术委员会(SAC/TC284)归口。

本标准起草单位：西安炬光科技有限公司、中国科学院西安光学精密机械研究所、中国科学院半导

体研究所、北京国科世纪激光技术有限公司、武汉华T正源光子技术有限公司、中国电子科技集团公司

第十三研究所。

本标准主要起草人：刘兴胜、赵卫、许国栋、张艳春、杨军红、马晓宇、王警卫、王贞福、谢彦虎、吴迪、

李小宁、史俊红、唐琦、王家赞、张国新、仲莉、石朝辉、张恩、许海明、陈海蓉、王晓燕。

m

GB/T31358—2015

半导体激光器总规范

1范围

本标准规定了半导体激光器的通用要求，包括术语和定义、分类、技术要求、测试要求、检验规则、标

志、包装、运输和贮存。

本标准适用于半导体激光器的研制、生产和交付等。半导体激光器组件可参考执行。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验A：低温

GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验B：高温

GB/T2423.3电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Cab：恒定湿热试验

GB/T2423.5电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Ea和导则：冲击

GB/T2423.10电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Fc：振动（正弦）

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T2829周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检验）

GB2894安全标志及其使用导则

GB/T6388运输包装收发货标志

GB7247.1激光产品的安全第1部分:设备分类、要求

GB/T7247.13激光产品的安全第13部分:激光产品的分类测量

GB/T10320激光设备和设施的电气安全

GB/T12339防护用内包装材料

GB/T15313激光术语

GB/T31359半导体激光器测试方法

3术语和定义

GB/T15313界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

半导体激光器semiconductorlaser

以半导体材料为激光介质的激光器。

3.2

垂直腔面发射半导体激光器verticalcavitysurfaceemittinglaser

出光方向垂直于p-n结平面的半导体激光器。

注：改写GB/T15313—2008,定义2.4.21,

1

GB/T31358—2015

3.3

边发射半导体激光器edgeemittingsemiconductorlaser

出光方向平行于p-n结平面的半导体激光器。

3.4

快轴发散角fastaxisdivergenceangle

9.

对于边发射半导体激光器，输出激光在垂直于p-n结平面的最大张角，如图1所示。

图1快轴发散角和慢轴发散角示意图

3.5

慢轴发散角slowaxisdivergenceangle

跖

对于边发射半导体激光器，输出激光在平行于p-n结平面的最大张角，如图1所示。

3.6

电光转换效率electrical-to-opticalconversionefficiency

半导体激光器输出的激光功率与输入的电功率比值,通常以百分数表示。

3.7

阈值电流thresholdcurrent

rlh

使激光器内光子增益等于或大于腔内总损耗，从而产生激光的最小驱动电流,单位是A或mA0

3.8

占空比dutycycle

半导体激光器在准连续或者脉冲工作模式时,一个工作周期内脉冲宽度占T作周期的百分比。

注：本标准中占空比用脉冲宽度和重复频率的乘积表示。

3.9

峰值波长peakwavelength

Ap

激光辐射光谱中发光强度或辐射功率最大处所对应的波长,单位是nm,如图2所示。

注1：连续谱中峰值波长为光强度或辐射功率最大处所对应的波长。

注2：多波长半导体激光盎会有多个峰值波长。

2

GB/T31358—2015

图2峰值波长示意图

3.10

中心波长centralwavelength

光谱强度最大值的一半处所对应的上升沿和下降沿最大宽度的中点对应的波长，单位是nm,如

图3所示。

■度5

1

1

ft1

11

d

f

Fi“

JiL

人人对ttK<4

图3中心波长示意图

3.11

波长-温度漂移系数coefficientofwavelength-temperatureshift

k

半导体激光器稳定工作时，p-n结单位温度变化所引起的峰值波长变化量，单位是nm/K或

nm/°Co

4分类

4.1按波长分类

550nm、808nm、l550nm、多波长等。

4.2按半导体芯片衬底材料分类

碑化稼激光器、磷化锢激光器、氮化傢激光器等。

3

GB/T31358—2015

4.3按激励方式分类

电激励、光激励、电子束激励等。

4.4按照输出光模式分类

单模、多模。

4.5按用途分类

通信类、加工类、医疗类、照明类、测距类等。

4.6按激光芯片出光方向分类

边发射、垂直腔面发射。

4.7按封装方式分类

带尾纤型、带光窗封装型、开放式等。

4.8按工作方式分类

连续、脉冲、准连续。

4.9按冷却方式分类

自然冷却型、强制冷却型。

4.10按发光单元排列方式分类

单管、一维阵列、二维阵列、面阵等。

4.11按功率分类

毫瓦级、瓦级、百瓦级等。

4.12按能量分类

毫焦级、焦级、百焦级等。

5技术要求

5.1外观质量要求

半导体激光器的外观质量应符合以下规定：