1. 当前位置：
  2. 首页 >
  3. 团体标准 >
  4. T/CMEEEA 340-2026

T/CMEEEA 340-2026 碳化硅用高温高能离子注入机铝离子源技术规范

T/CMEEEA 340-2026 Technical specifications for aluminum ion source of high-temperature and high-energy ion implanter for silicon carbide

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CMEEEA 340-2026
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
-
国际标准分类号（ICS）
31.080.99 其他半导体分立器件
发布日期
2026-07-30
实施日期
2026-08-29
发布单位/组织
-
归口单位
中国机电设备工程协会
适用范围
本文件适用于以碳化硅（SiC）半导体材料为注入对象，加速能量范围为50 keV～2 MeV、束流强度不小于100 μA的高温高能离子注入机所用铝离子源，其他类型离子注入机的铝离子源可参照本规范执行。 本文件规定了碳化硅用高温高能离子注入机铝离子源（以下简称“铝离子源”）的工作要求、系统结构与功能、技术要求、试验方法

发布历史

文前页预览

当前资源暂不支持预览

研制信息

起草单位：
核工业西南物理研究院、北京科技职业大学、北京中研华采技术服务有限公司、北京六只猫创意科技有限公司、北京彬诚科技有限公司
起草人：
但敏、李金义、乐志斌、夏卫彬、杨笛、范青武
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

暂无内容

定制服务

    推荐标准

    相似标准推荐

    更多>