GB/T 45982.3-2025 第二代高温超导体微连接 第3部分：接头试验方法

ICS2516001

CCSJ3.3.

中华人民共和国国家标准

GB/T459823—2025

.

第二代高温超导体微连接

第3部分接头试验方法

:

Microjoiningof2ndgenerationhightemperaturesuperconductors—

Part3Testmethodsforoints

:j

ISO17279-32021Weldin—Microoininofsecondenerationhih

(:gjggg

temeraturesuerconductors—Part3TestmethodsforointsMOD

pp:j,)

2025-08-01发布2026-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T459823—2025

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

符号和缩略语

4……………1

接头试验方法

5……………2

附录资料性本文件与结构编号对照情况

A()ISO17279-3:2021…………………15

附录资料性目视检测报告

B()…………16

附录资料性四引线法试验报告

C()……………………18

附录资料性磁场衰减试验报告

D()……………………20

附录资料性外加磁场试验报告

E()……………………23

附录资料性拉伸试验报告

F()…………25

附录资料性弯曲试验报告

G()…………27

附录资料性临界电流密度分布试验报告

H()…………29

附录资料性光学显微镜法试验报告

I()………………31

参考文献

……………………33

Ⅰ

GB/T459823—2025

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是第二代高温超导体微连接的第部分第二代高温超导体

GB/T45982《》3。GB/T45982《

微连接已经发布了以下部分

》:

第部分工艺要求

———1:;

第部分焊接与试验人员资格

———2:;

第部分接头试验方法

———3:。

本文件修改采用焊接第二代高温超导体微连接第部分接头试验方法

ISO17279-3:2021《3:》。

本文件与相比在结构上有较多调整两个文件之间的结构编号变化对照一览

ISO17279-3:2021,。

表见附录

A。

本文件与的技术差异及其原因如下

ISO17279-3:2021:

更改了本文件的适用范围见第章以适用我国的技术条件

a)(1),;

用规范性引用文件代替见第章

b)GB/T19866ISO15607:2019(3);

增加了种符号的说明见第章便于本文件的应用

c)19(4),;

删除了除目视检测外其他试验都应在低温环境下进行见的以适

d)“,”(ISO17279-3:20214.1),

应我国的技术条件

;

更改了目视检测试验人员的资格要求见以适用我国的技术条件

e)(5.2.2),;

删除了目视检测接头试样的加固步骤的以适用我国的技术条件

f)(ISO17279-3:20214.2.5),;

删除了四引线法的试验原理有关热影响区的测量内容采用的条形记录仪试验步骤公

g)、、、b)、

式公式见的以适用我国的技术条件

(2)、(3)(ISO17279-3:20214.3.5.1),;

更改了四引线法试验采用的测温仪器见和容器完全冷却达到的温度见

h)[(5.3.5.1b)][(

以适用我国的技术条件

5.3.5.1c)],;

删除了四引线法测自场临界电流时采用的数据采集系统和软件见的

i)(ISO17279-3:2021

以适用我国的技术条件

4.3.5.2),;

删除了四引线法测临界电流密度试验见的以适用我国的技术

j)(ISO17279-3:20214.3.5.3),

条件

;

删除了四引线法测n值时向正常态的转变公式的部分表达式更改了n值的表征含

k)-V-I(5),-

义的以适用我国的技术条件

(ISO17279-3:20214.3.5.4),;

更改了磁场衰减试验中承装液氮或制冷剂的容器见和附录中图以适用我国的

l)(5.4.5DD.2),

技术条件

;

更改了外加磁场试验的一般要求见以适用我国的技术条件

m)(5.5.1),;

删除了临界磁场试验见的以适用我国的技术条件

n)(ISO17279-3:20214.8),;

删除了扫描电子显微镜法透射电子显微镜法和射线衍射法试验见的

o)、X(ISO17279-3:2021

以适用我国的技术条件

4.10),。

本文件做了下列编辑性改动

:

为了符合我国标准编写要求将标准名称修改为第二代高温超导体微连接第部分接头

a),《3:

试验方法

》;

删除了章节内重复性表述见的和

b)(ISO17279-3:20214.1、4.2.3、4.2.5、4.3.5.2、4.6.1、4.7.1

Ⅲ

GB/T459823—2025

.

4.9.5);

删除了部分注的内容见的

c)(ISO17279-3:20214.3.1);

删除了部分解释描述性内容的

d)(ISO17279-3:20214.3.5.1、4.3.5.2、4.3.5.4);

增加了图的说明见及图中标引符号的说明图图图图图和图

e)(5.7.5)(6、7、12、C.3、E.2G.2);

删除了报告格式中记录临界电流密度试验的结果见的附录删除了记

f)(ISO17279-3:2021B),

录扫描电子显微镜法试验的结果记录透射电子显微镜法的结果记录射线衍射法试验的

、、X

结果见的附录

(ISO17279-3:2021I);

删除了临界磁场试验报告见的附录

g)(ISO17279-3:2021G)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国焊接标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC55)。

本文件起草单位中国机械总院集团哈尔滨焊接研究所有限公司杭州华光焊接新材料股份有限公

:、

司中国机械总院集团郑州机械研究所有限公司哈尔滨理工大学浙江永旺焊材制造有限公司金华市

、、、、

双环钎焊材料有限公司哈尔滨工业大学上海上创超导科技有限公司

、、。

本文件主要起草人吕晓春余丁坤秦建刘洋盛永旺蒋俊懿林铁松孙晓梅蔡传兵盛婕

:、、、、、、、、、、

蔡笑宇

。

Ⅳ

GB/T459823—2025

.

引言

随着第二代高温超导体的广泛应用以及实现无电阻连接技术的发明有必要

(2GHTS)2GHTS,

制定本文件确保以最有效的方式进行连接并对所有实施过程进行适当的控制为了获得

,2GHTS,。

最佳统一质量的接头有必要制定微连接工艺及接头评价规范的国家标准第二

、2GHTS,。GB/T45982《

代高温超导体微连接是第二代高温超导体微连接的通用性管理标准拟由三个部分构成

》,。

第部分工艺要求

———1:;

第部分焊接与试验人员资格

———2:;

第部分接头试验方法

———3:。

超导体材料在临界温度T临界磁场强度B和临界电流密度J以下具有无电阻导电和完全抗磁

、cc

性的特点一旦启动在超导材料的抗磁闭合回路中电流会永远流动

。,,。

由多层组成总厚度约为有或无铜稳定层包覆采用x

2GHTS,60μm~100μm,。ReBa2Cu3O7-

制备的超导层厚度仅为具体取决于的规格表示稀土材料包括

(REBCO)1μm~3μm,2GHTS。Re,

钆钇和钐等元素图为典型的多层结构示意图并标明了包括铜稳定层在内的各层成分

、。12GHTS,

和厚度无稳定层的中不存在图标引序号为的两层铜稳定层

。2GHTS11。

标引序号说明

:

厚铜稳定层

1———20μm;

厚银保护层

2———2μm;

厚超导层

3———1μm~3μmREBCO;

层缓冲层总厚

4———5(160nm);

厚哈氏合金基体

5———50μm。

注不按比例绘制

:。

图1典型2GHTS的多层结构示意图

目前超导工业中采用的是软钎焊见图硬钎焊或使用其他填充材料的方法进行接头连接接

,(2)、,

头处的高电阻会在超导体中产生致命缺陷

。

Ⅴ

GB/T459823—2025

.

a搭接接头b桥接接头

))

标引序号说明

:

超导层

1———;

软钎料

2———。

图22GHTS软钎焊连接接头示意图

本文件关注的是在不使用填充材料的情况下厚的超导层直接自生连接见

,1μm~3μm2GHTS(

图并通过氧化退火工艺恢复超导性能该接头处电阻几乎为零

3),,。

a搭接接头b桥接接头

))

标引序号说明

:

超导层

1———。

图32GHTS两根超导层的直接自生连接接头示意图

规定了微连接的工艺要求接头宜具备所需的电磁和机械特

GB/T45982.12GHTS。2GHTS、

性并且在制造和服役时无严重缺陷为了实现这一目标有必要在设计和制造过程中进行控制

,。,。

规定了焊接与试验人员的资格要求

GB/T45982.2。

本文件作为第二代高温超导体微连接的试验方法标准规定了种接头试验方法与工艺要求焊

,8,、

接与试验人员资格等标准相配套不仅形成了超导体接头评价方法还为其产品质量提升提供了理论依

,,

据进一步推动我国第二代高温超导体的应用以及相关产业示范性应用

,。

Ⅵ

GB/T459823—2025

.

第二代高温超导体微连接

第3部分接头试验方法

:

1范围

本文件规定了第二代高温超导体微连接接头的试验方法包括目视检测四引线法试验磁场衰减

,、、

试验外加磁场试验拉伸试验弯曲试验临界电流密度分布试验光学显微镜法试验等要求

、、、、、。

本文件适用于第二代高温超导体微连接接头以下简称接头

(“”)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

焊接工艺规程及评定的一般原则

GB/T19866(GB/T19866—2005,ISO15607:2003,IDT)

第二代高温超导体微连接第部分一般要求

GB/T45982.1—20251:(ISO17279-1:2018,

MOD)

注被引用的内容与被引用的内容没有技术上的差异

:GB/T45982.1—2025ISO17279-1:2018。

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T19866、GB/T45982.1—2025。

4符号和缩略语

下列符号适用于本文件

。

A超导层的横截面积

1———;

A搭接接头的横截面积

2———;

B临界磁场强度

c———;

Btt时刻的磁场强度

()———;

Bt初始磁场强度

(0)———;

I两根中心引线之间的电流

———;

I临界电流

c———;

J临界电流密度

c———;

L一个闭合回路的自感

———;

n电流的幂指数

———;

R两根中心引线之间的平均电阻

———;

R接头电阻

j———;

r接头的电阻率

j———;

T临界温度

———;

1