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GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法

GB/T 41064-2021 Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy,Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films

国家标准 中文简体 现行 页数：16页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 41064-2021
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
G04 基础标准与通用方法
国际标准分类号（ICS）
71.040.40 化学分析
发布日期
2021-12-31
实施日期
2022-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)
适用范围
本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法，即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率，用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时，这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间，可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率，从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。

发布历史

文前页预览

GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法-第1页
GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法-第2页
GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法-第3页
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研制信息

起草单位：
清华大学、中国石油大学(北京)
起草人：
姚文清、段建霞、杨立平、王雅君、李展平、徐同广、王岩华
出版信息：
页数：16页 | 字数：33 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS71.040.40

CCSG04

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT410642021ISO171092015

表面化学分析深度剖析用单层和

、

多层薄膜测定射线光电子能谱俄歇

X

电子能谱和二次离子质谱中深度剖析

溅射速率的方法

——

SurfacechemicalanalsisDethrofilinMethodforsutterrate

yppgp

,

determinationinX-rahotoelectronsectroscoAuerelectronsectrosco

ypppygppy

andsecondar-ionmasssectrometrsutterdethrofilinusinsinleand

ypypppggg

multi-laerthinfilms

y

(:,)

ISO171092015IDT

2021-12-31发布2022-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—/:

GBT410642021ISO171092015

目次

前言…………………………Ⅲ

引言…………………………Ⅳ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4单层和多层薄膜参考物质的要求………………………1

5溅射速率的确定…………………………2

()……………………

附录资料性国际比对实验报告

A5

()……

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