DB35/T 885-2009 西施舌人工育苗技术规范

DB35/T885—2009

前言

西施舌（Coelomactraantiquata）俗称海蚌,属太平洋西岸广温性双壳贝类，我国沿海均有分布，

福建长乐沿海盛产，具有生长快、个体大、营养丰富等特点，尤以肉味鲜美著称。为总结西施舌人工

育苗技术，实现西施舌规模化人工育苗，满足西施舌增养殖需求，特制定本标准。

本标准由福建省海洋与渔业局提出并归口。

本标准由福建省质量技术监督局批准。

本标准起草单位：福建省水产技术推广总站、福建师范大学生命科学学院。

本标准起草人：苏跃中、高如承、庄惠如、汪彦愔、陈燕婷。

I

DB35/T885—2009

西施舌人工育苗技术规范

1范围

本标准规定了西施舌人工育苗的术语和定义、人工繁殖、苗种培育、贝苗收获和出苗技术要求。

本标准适用于西施舌人工苗种培育。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方

研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB11607渔业水质标准

GB3097海水水质标准

3术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

3.1

担轮幼虫

西施舌卵受精后刚孵化的幼虫为担轮幼虫，不摄食。

3.2

D形幼虫

D形幼虫由担轮幼虫发育而成。两侧壳瓣形成，可包裹整个软体部，两壳背部成直线铰合，壳形

似“D”字母，面盘为唯一运动器官，开始摄食单胞藻等饵料。

3.3

壳顶幼虫

壳顶幼虫由D形幼虫发育而成，壳顶突出铰合线。

3.4

眼点幼虫

壳顶幼虫发育后期足基部出现具色素的眼点，即将附着变态。

3.5

稚贝

稚贝由眼点幼虫附着后变态，结束浮游生活，面盘脱落消失，足为唯一运动器官，鳃和水管形成，

次生壳出现，营埋栖生活。

3.6

幼贝

贝壳长1.3mm～20mm，形态结构与成贝相似。

4人工繁殖

4.1亲贝的选择

选择壳长8cm～10cm、壳表无损伤、3～4龄性腺成熟的天然海区西施舌作为亲贝。

4.2亲贝饲养

1

DB35/T885—2009

4.2.1亲贝培育池

亲贝培育池为面积10m2以上的水泥池或水槽。在清洗消毒后，铺上15cm～20cm厚的细沙，加

入新鲜海水至水深40cm～50cm。

4.2.2水质条件

抽取天然海水，经沉淀、沙滤，水质应符合GB11607和GB3097标准要求。亲贝培育控制水温

在25℃～26℃，盐度17～30，pH8.0～8.4。

4.2.3饲养密度

亲贝的饲养密度以6ind/m2～10ind/m2为宜。

4.2.4饵料投喂

每天投喂单细胞藻类3次～4次，控制培育水饵料密度为5×104cell/ml～15×104cell/ml，并适

量投喂底栖硅藻及淀粉等作为补充饵料。

4.2.5充气和流水

亲贝培育池每1m2吊挂一个散气石，保持连续充气。采用微流水培育，流量为1m3／h～1.2m3／h。

4.3亲贝性腺成熟度检查

采用解剖亲贝的方法，检查生殖腺成熟度。在生殖腺、性腺覆盖消化盲囊（肝脏）表面1/2以上、

性腺发育达Ⅳ期时，即可进行刺激诱导产卵。雌雄比例4：1或5：1。

4.4产卵

4.4.1阴干、流水刺激诱导产卵

将性腺成熟的亲贝置于阴凉地方，阴干4h～6h，以流速为25cm/s的流水刺激约2h后，停顿1h

再进行流水，多次重复刺激直至亲贝排放精、卵。

4.4.2阴干、升降温流水刺激诱导产卵

将性腺成熟的亲贝置于阴凉地方，阴干4h～6h，放入产卵池进行升降温操作，温差控制在±5℃左

右，而后以流速为25cm/s的流水刺激约2h后，停顿1h再进行流水，多次重复刺激直至亲贝排放精、卵。

4.5受精卵的收集

取出亲贝，静置水体，待受精卵下沉，当多数受精卵出现极体时，虹吸出上层海水，除去多余精

子；或用500目筛绢收集受精卵，经干净海水2次～3次洗卵后，放入孵化池孵化。

4.6受精卵的孵化

4.6.1水质条件

控制水温在25℃～26℃、盐度28～30、pH8.1～8.3。

4.6.2孵化密度

受精卵的孵化密度以10ind/m2～50ind/m2为宜。

4.6.3孵化

受精卵在上述孵化条件下，约经6h发育孵出担轮幼虫。以虹吸法收集趋光性较好的上浮担轮幼

虫到培育池进行苗种培育。

5苗种培育

5.1D形幼虫和壳顶幼虫培育

5.1.1培育池

面积15m2、水深1m以上的水泥池或水槽，必须采用PVC管材管件。

5.1.2水质条件

海水水质应符合GB11607和GB3097标准要求。控制水温在25℃～28.5℃、盐度25～30、pH8.0～

8.3。

5.1.3培育密度

2

DB35/T885—20