T/CASAS 061-2026 SiC MOSFET功率模块局部放电试验方法
T/CASAS 061-2026 Partial discharge test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC MOSFET) power module
团体标准
中文(简体)
现行
页数：0页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
T/CASAS 061-2026
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2026-06-30
实施日期
2026-06-30
发布单位/组织
-
归口单位
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
-
发布历史
-
2026年06月
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研制信息
- 起草单位：
- 上海交通大学、南京工业大学、复旦大学、中国电力科学研究院有限公司、中国电气装备集团科学技术研究院有限公司、上海电力大学、华北电力大学、怀柔实验室、华东电力试验研究院有限公司、小米汽车科技有限公司、合肥工业大学、山东大学、复旦大学宁波研究院、上海林众电子科技有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、国网江苏省电力有限公司南京供电分公司、南京电力设计研究院有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 起草人：
- 王亚林、祝曦、樊嘉杰、杨霏、田鸿昌、滕乐天、陈哲、周行星、尹毅、方志、赵爽、王雅妮、姚周飞、汪剑文、李学宝、何东欣、崔潆心、张站旗、许洪华、延巧娜、左元慧、李世丹、庄建军、管秀晗、高伟
- 出版信息：
- 页数：- | 字数：- | 开本： -
内容描述
暂无内容
定制服务
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