T/COS 029-2025 电子封装用高硅铝合金化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法

本文件规定了电子封装用高硅铝合金（硅添加量≥40%）中痕量杂质元素含量的测定方法。 本文件适用于电子封装用高硅铝合金（硅添加量≥40%）中痕量杂质元素含量的测定。测定范围覆盖除气体元素外的其他杂质元素，质量分数为0.1 /-500 /，且经标准样品校正后，可对样品进行准确的定量分析。 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 3.1 背景空白样品 3.2 质量校正标准样品 3.3 仪器检测器校正标准样品 3.4 ICE 3.5 半定量分析法 4 原理 5 试剂和材料 5.1 无水乙醇（ρ约0.789 g/mL），优级纯。 5.2 盐酸（ρ约1.19 g/mL），优级纯。 5.3 硝酸（ρ约1.42 g/mL），优级纯。 5.4 氢氟酸（ρ约1.19 g/mL），优级纯。 5.5 王水（1+3） 5.6 盐酸（1+1） 5.7 氩气 5.8 高硅铝合金标准物质 6 仪器设备 6.1 辉光放电质谱仪（GDMS） 6.2 制样加工设备 7 样品 7.1 试样具有均匀性和代表性 7.2 常规棒状或片状金属样品 8 试验步骤 8.1 仪器准备工作 8.2 测定 8.3 相对灵敏度因子的测定 8.4 样品测量 9 试验数据处理 10 精密度 11 检测报告