GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
GB/T 42902-2023 Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
国家标准
中文简体
现行
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2023-08-06
实施日期
2024-03-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
发布历史
-
2023年08月
研制信息
- 起草单位：
- 安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所
- 起草人：
- 钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：27 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT429022023
碳化硅外延片表面缺陷的测试
激光散射法
—
Testmethodforsurfacedefectsonsiliconcarbideeitaxialwafers
p
Laserscatterinmethod
g
2023-08-06发布2024-03-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT429022023
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
。。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)与全国半导体设备和材料标准
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