GB/T 44558-2024 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法

ICS77.040

CCSH21

中华人民共和国国家标准

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GBT445582024

Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试

透射电子显微镜法

—

TestmethodfordislocationimaininⅢ-nitridesemiconductormaterials

gg

Transmissionelectronmicrosco

py

2024-09-29发布2025-04-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT445582024

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)与全国半导体设备和材料标准

SACTC203

化技术委员会材料分技术委员会(//)共同提出并归口。

SACTC203SC2

:、、

本文件起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司江苏第三

、、、、、

代半导体研究院有限公司苏州科技大学北京大学国家纳米科学中心北京大学东莞光电研究院

、()、、

东莞市中镓半导体科技有限公司TCL环鑫半导体天津有限公司苏州大学山东浪潮华光光电子股

、。

份有限公司北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司

:、、、、、、、、、、

本文件主要起草人曾雄辉董晓鸣苏旭军牛牧童王建峰徐科王晓丹徐军郭延军陈家凡

、、、、、。

王新强颜建锋敖松泉唐明华闫宝华李艳明

Ⅰ

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GBT445582024

Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试

透射电子显微镜法

1范围

本文件描述了用透射电子显微镜测试族氮化物半导体材料中位错成像的方法。

Ⅲ

本文件适用于六方晶系族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。

Ⅲ

2规范性引用文件

。,

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

,;,()

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

本文件。

/半导体材料术语

GBT14264

3术语和定义

/界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

GBT14264

3.1

伯格斯矢量Burersvector

g

b

位错所致晶格畸变的大小和方向的特征矢量。

3.2

a型位错atedislocation

yp

伯格斯矢量为/<>的位错。

131120

3.3

c型位错ctedislocation

yp

伯格斯矢量为<>的位错。

0001

3.4

a+c型位错a+ctedislocation

yp

伯格斯矢量为/<>的位错。

131123

3.5

衍射矢量diffractionvector

g

()()。

衍射谱中由中心斑0000原点到衍射斑点hkil的坐标矢量

:,。

注在双束成像条件下特指满足布拉格条件的强反射的衍射矢量

4方法原理

()()·。·

位错的衍射衬度像由衍射矢量和伯格斯矢量的点乘即的值决定当等于

gbgbgb0

1