GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

GB/T 43315-2023 Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique

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基本信息

标准号

GB/T 43315-2023

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

H21 金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）

77.040 金属材料试验

发布日期

2023-11-27

实施日期

2024-06-01

发布单位/组织

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

适用范围

本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。
本文件适用于电阻率大于1 Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。

发布历史

2023年11月

GB/T 43315-2023　硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

当前标准现行 2023-11-27

文前页预览

研制信息

起草单位：: 中环领先(徐州)半导体材料有限公司、山东有研半导体材料有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、麦克斯电子材料股份有限公司、浙江旭盛电子有限公司

起草人：: 朱志高、陈俊宏、陈凤林、高海棠、李素青、朱晓彤、由佰玲、吕莹、潘金平、张海英、胡晓亮、方丽霞、陈跃骅、黄景明

出版信息：: 页数：6页 | 字数：13 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS77.040

CCSH21

中华人民共和国国家标准

/—

GBT433152023

硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

—

TestmethodforflowatterndefectsinsiliconwaferEtchintechniue

pgq

2023-11-27发布2024-06-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT433152023

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

。

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关联标准

引用标准

GB/T 14264

GB/T 14264-2024 半导体材料术语

现行

GB/T 14264-1993 半导体材料术语

被代替

GB/T 14264-2009 半导体材料术语