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T/CASAS 001-2018 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范

T/CASAS 001-2018 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Generic Specification

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CASAS 001-2018
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L40/49 半导体分立器件
国际标准分类号（ICS）
31.080.01 半导体器分立件综合
发布日期
2018-09-21
实施日期
2018-09-21
发布单位/组织
-
归口单位
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
主要技术内容:碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高频、大功率、抗辐射功率器件。不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，开关电源，工业控制等传统工业领域广泛应用，而且在太阳能、风能、电动汽车航空航天等领域也具有广阔的应用前景。随着SiC 肖特基势垒二极管的技术发展、市场逐步开启，Si二极管的标准在某些方面的规定既不能体现SiC二极管优越的特性，也限制了SiC二极管在某些突出特性方面的发展，制定《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》，以支撑产品的设计、生产、测量、验收等工作

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研制信息

起草单位：
中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、龙腾半导体有限公司
起草人：
许恒宇、李金元、柏松、李诚瞻、刘鹏飞、万彩萍、查祎英、刘奥、周维、赵璐冰、高伟
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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